[发明专利]处理条件确定方法、基板处理方法、基板制品制造方法、计算机程序、存储介质、处理条件确定装置及基板处理装置在审
| 申请号: | 202080084200.3 | 申请日: | 2020-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN114746987A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 稻木大;岛野达矢;太田乔 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
| 代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王佳媛 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 条件 确定 方法 制品 制造 计算机 程序 存储 介质 装置 | ||
1.一种处理条件确定方法,从多个处理条件中确定出一边沿着作为处理对象的基板的对象基板的径向移动处理液的喷出位置一边处理所述对象基板时能够使用的处理条件,其中,包括以下工序:
基于包括所述对象基板的径向上的多个位置处的厚度的测定值的测定厚度信息,针对所述多个处理条件中的每一个处理条件,计算出包括所述对象基板的所述多个位置处的处理后的厚度的预测值的预测厚度信息,
按照规定评价方法来评价针对所述多个处理条件而分别计算出的多个预测厚度信息,并从所述多个预测厚度信息中选择预测厚度信息,以及
确定出与所述选择的预测厚度信息对应的所述处理条件;
所述测定厚度信息中所包括的所述测定值,表示在利用所述处理液对所述对象基板进行处理之前沿着所述对象基板的径向而测定的所述对象基板的厚度。
2.根据权利要求1所述的处理条件确定方法,其中,
还包括如下工序:
基于所述选择的预测厚度信息中包括的多个所述预测值中所述对象基板的径向的端区域中的预测值的最大值,计算出端区域处理时间;
所述端区域处理时间表示针对所述对象基板的所述端区域的处理时间,且表示在所述处理液的喷出位置被固定的状态下的处理时间。
3.根据权利要求2所述的处理条件确定方法,其中,
在计算出所述端区域处理时间的工序中,基于在所述对象基板的所述端区域中的所述预测值的所述最大值、所述对象基板的目标厚度值以及处理系数,计算出所述端区域处理时间,
所述处理系数是预先被设定的,表示利用所述处理液进行的每单位时间的基板的处理量。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理条件确定方法,其中,
在计算出所述预测厚度信息的工序中,基于所述对象基板的所述测定厚度信息、所述对象基板的目标厚度值以及包括沿着基板的径向预先实测而得到的所述基板的径向上的多个位置处的处理量的实测处理量信息,计算出所述预测厚度信息,
所述实测处理量信息中包括的所述处理量,表示按照所述多个处理条件中与所述实测处理量信息建立关联的处理条件来对所述基板进行处理时的处理量。
5.根据权利要求4所述的处理条件确定方法,其中,计算出所述预测厚度信息的工序包括以下工序:
基于所述对象基板的所述测定厚度信息、所述对象基板的所述目标厚度值以及所述实测处理量信息,针对所述对象基板的所述多个位置中的每一个位置,计算出所述对象基板的所述多个位置中的各位置处的厚度成为所述目标厚度值时的处理时间,
从针对所述对象基板的所述多个位置而分别计算出的多个所述处理时间中选择最短的处理时间,以及
基于所述对象基板的所述测定厚度信息、所述实测处理量信息以及所述最短的处理时间,计算出所述预测厚度信息。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理条件确定方法,其中,
在选择所述预测厚度信息的工序中,使用所述对象基板的表面中比径向的端区域靠内侧的内区域中的2个以上位置处的处理后的所述厚度的预测值,评价所述多个预测厚度信息。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理条件确定方法,其中,
所述规定评价方法是评价由所述预测厚度信息表示的预测厚度图案与平坦的接近程度的方法,
所述预测厚度图案表示所述对象基板的径向上的所述厚度的预测值的分布,
所述规定评价方法包括第一评价方法、第二评价方法以及第三评价方法中的至少一种评价方法,
所述第一评价方法是根据表示所述预测厚度图案的凹凸程度的指标,来评价所述预测厚度图案与平坦的接近程度的方法,
所述第二评价方法是根据基于构成所述预测厚度图案的多个所述预测值中与所述对象基板的目标厚度值接近的预测值的数量的指标,来评价所述预测厚度图案与平坦的接近程度的方法,
所述第三评价方法是根据表示所述预测厚度图案的倾斜与零的接近程度的指标,来评价所述预测厚度图案与平坦的接近程度的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





