[发明专利]射频辅助等离子体生成中的阻抗变换

说明书

一种用于向设备提供信号的设备可以包括一个或多个射频信号发生器，以及将来自一个或多个RF信号发生器的信号耦合到制造室的电气小传输线。该装置还可以包括电抗电路，以将电气小传输线的阻抗从相对高阻抗灵敏度的区域转换到相对低阻抗灵敏度的区域。

通过引用并入

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背景技术

在此包含的背景及上下文的描述仅针对整体呈现公开内容的上下文的目的而提供。本公开内容的许多呈现发明人的成果，且单纯由于如此成果在背景技术部分中描述或在本文其他位置呈现为上下文并不表示将这样的成果认为是现有技术。

用于形成集成电路的半导体晶片的制造可能包括许多不同的处理步骤。在可能在各种材料沉积到半导体晶片上之后发生的某些处理步骤中，材料可能被蚀刻掉，以便使得诸如金属之类的附加材料能被沉积。这种沉积可以涉及导电迹线、晶体管栅极、通孔、电路元件等的形成。然而，至少在某些情况下，半导体制造工艺，例如涉及基于等离子体的蚀刻、等离子体增强原子层沉积或其他工艺的那些工艺，无法控制的工艺变化可能会导致较低的产量、成本、半导体布局和掩模的重新设计等等。在一些情况下，响应于耦合到用于形成等离子体的制造室的能量的变化，可能会导致这种不可控的工艺变化。因此，增加对基于等离子体的晶片蚀刻和/或等离子体增强的原子层沉积或其他制造工艺的控制的技术仍然是一个活跃的研究领域。

发明内容

在一方面，提供了一种用于向设备提供信号的装置，其中该装置包括：一个或多个射频(RF)信号发生器；一条或多条电气小传输线，其用于将来自所述一个或多个RF信号发生器的信号耦合到制造室；以及电抗电路，其用于将所述电气小传输线中的每一条的阻抗从具有第一阻抗灵敏度的区域变换到具有第二阻抗灵敏度的区域。

在一些方面，所述电抗电路至少包括串联电抗。在一些方面，所述电抗电路至少包括并联电纳。在一些方面，所述电抗电路至少包括串联电抗和并联电纳。在一些方面，所述具有相对高阻抗灵敏度的区域对应于阻抗空间中的区域，并且所述阻抗的实部对应于大于约100欧姆的值。在一些方面，所述相对低阻抗灵敏度的区域对应于阻抗空间中的区域，并且其中所述阻抗的实部对应于小于约100欧姆的值。在一些方面，用于变换所述阻抗的所述电抗电路避免谐振传输线在小于来自所述RF信号发生器中的一个或多个的信号的频率的任何频率下的可能性。在一些方面，所述电气小传输线对应于在小于所述RF信号发生器在所述传输线的介质中产生的所述信号的频率的频率下将阻抗从所述相对高阻抗敏感度的区域变换到所述相对低阻抗敏感度的区域而不遍历传输线谐振的传输线。在一些方面，与所述电抗电路的损耗相结合的所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于约20％。在一些方面，所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于10％。

在另一方面，提供了一种装置，其中该装置包括：电气小传输线，其用于将来自RF信号发生器中的一个或多个的信号耦合到制造室；以及电抗电路，其将所述电气小传输线的阻抗从相对高阻抗灵敏度的区域转换到相对低阻抗灵敏度的区域，所述电抗电路用于在与通过传输线的长度移动的方向相反的方向上移动阻抗控制点。

在一些方面，所述电气小传输线对应于在小于所述RF信号发生器在所述传输线的介质中产生的所述信号的频率的频率下将所述阻抗控制点从所述相对高阻抗敏感度的区域移动到所述相对低阻抗敏感度的区域而不遍历传输线谐振的传输线。在一些方面，所述电抗电路包括串联容抗。在一些方面，所述电抗电路包括至少并联感纳。在一些方面，所述电抗电路包括串联容抗和并联感纳。在一些方面，与所述电抗电路的损耗相结合的所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于约20％。在一些方面，所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于10％。