[发明专利]射频辅助等离子体生成中的阻抗变换在审
| 申请号: | 202080083903.4 | 申请日: | 2020-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN114762079A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
| 发明(设计)人: | 埃勒·Y·尤科;托马斯·利·弗雷德里克;卡尔·弗雷德里克·利瑟;保罗·康科拉 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H03H7/40 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 辅助 等离子体 生成 中的 阻抗 变换 | ||
1.一种用于向设备提供信号的装置,其包括:
一个或多个射频(RF)信号发生器;
一条或多条电气小传输线,其用于将来自所述一个或多个RF信号发生器的信号耦合到制造室;以及
电抗电路,其用于将所述电气小传输线中的每一条的阻抗从具有第一阻抗灵敏度的区域变换到具有第二阻抗灵敏度的区域。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电抗电路至少包括串联电抗。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电抗电路至少包括并联电纳。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电抗电路至少包括串联电抗和并联电纳。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述具有相对高阻抗灵敏度的区域对应于阻抗空间中的区域,并且其中所述阻抗的实部对应于大于约100欧姆的值。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述相对低阻抗灵敏度的区域对应于阻抗空间中的区域,并且其中所述阻抗的实部对应于小于约100欧姆的值。
7.根据权利要求1所述的装置,其中用于变换所述阻抗的所述电抗电路避免谐振传输线在小于来自所述RF信号发生器中的一个或多个的信号的频率的任何频率下的可能性。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述电气小传输线对应于在小于所述RF信号发生器在所述传输线的介质中产生的所述信号的频率的频率下将阻抗从所述相对高阻抗敏感度的区域变换到所述相对低阻抗敏感度的区域而不遍历传输线谐振的传输线。
9.根据权利要求1所述的装置,其中与所述电抗电路的损耗相结合的所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于约20%。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于10%。
11.一种装置,其包括:
电气小传输线,其用于将来自RF信号发生器中的一个或多个的信号耦合到制造室;以及
电抗电路,其将所述电气小传输线的阻抗从相对高阻抗灵敏度的区域转换到相对低阻抗灵敏度的区域,所述电抗电路用于在与通过传输线的长度移动的方向相反的方向上移动阻抗控制点。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述电气小传输线对应于在小于所述RF信号发生器在所述传输线的介质中产生的所述信号的频率的频率下将所述阻抗控制点从所述相对高阻抗敏感度的区域移动到所述相对低阻抗敏感度的区域而不遍历传输线谐振的传输线。
13.根据权利要求11所述的装置,其中,所述电抗电路包括串联容抗。
14.根据权利要求11所述的装置,其中,所述电抗电路包括至少并联感纳。
15.根据权利要求11所述的装置,其中,所述电抗电路包括串联容抗和并联感纳。
16.根据权利要求11所述的装置,其中,与所述电抗电路的损耗相结合的所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于约20%。
17.根据权利要求12所述的装置,其中,所述电气小传输线的电阻损耗对应于小于10%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080083903.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





