[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

说明书

本发明提高形成于基板的膜的面间面内均匀性。具备：基板保持件，其排列并保持基板；以及反应管，其在内部收纳基板保持件，基板保持件具有：多个柱，其在所排列的基板的周围在与基板大致垂直的方向上分别延伸；顶板，其将多个柱的各自的一端相互固定，且在中心具有开口；以及底板，其将多个柱的各自的另一端相互固定，反应管具有以与开口的形状对应的形状朝内侧突出的前端平坦的突出部，突出部设置为在将基板保持件收纳于反应管的状态下插入于开口，且比顶板更接近于配置在基板保持件的最靠近顶板处的基板。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术

在专利文献1中记载了一种基板处理装置，其在处理炉内将基板多层地保持于基板保持件的状态下，在基板的表面形成膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-165210号公报

发明内容

发明所要解决的课题

为了将基板保持件安全地搬入搬出上述那样的处理炉内并使其旋转，则需要在基板保持件的顶板与构成收纳基板保持件的处理炉的反应管的内表面之间形成间隙。另外，作为产品使用的产品基板，相较于未作为产品使用的监控基板或虚拟(dummy)基板，其表面积较大，因而进行基板处理时的处理气体的消耗量较多。

因此，由于在基板保持件的顶板与反应管的内表面之间的间隙所产生的剩余气体，存在所形成的膜的均匀性恶化的情形。这样的均匀性的恶化被称为负载效应。

本发明的目的在于提高在基板上所形成的膜的面间面内均匀性。

用于解决课题的方案

根据本发明的第一方案，提供以下技术，具备：

基板保持件，其排列并保持基板；以及

反应管，其在内部收纳上述基板保持件，

上述基板保持件具有：

多个柱，其在所排列的上述基板的周围在与上述基板大致垂直的方向上分别延伸；

顶板，其将上述多个柱的各自的一端相互固定，且在中心具有开口；以及

底板，其将上述多个柱的各自的另一端相互固定，

上述反应管具有以与上述开口的形状对应的形状朝内侧突出的前端平坦的突出部，

上述突出部设置为在将上述基板保持件收纳于上述反应管的状态下插入于上述开口，且比上述顶板更接近于配置在上述基板保持件的最靠近顶板处的基板。

发明效果

根据本发明，可提高在基板上所形成的膜的面间面内均匀性。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的基板处理装置101的概略结构图。

图2是本发明的一实施方式的处理炉202的侧面剖视图。

图3是表示本发明的一实施方式的控制流程的图。

图4是本发明的一实施方式的基板保持件的立体图。

图5是表示本发明的一实施方式的基板保持件与内管的关系的立体图。

图6的(A)是用于说明本发明的一实施方式的基板保持件与内管的关系的侧面剖视图。图6的(B)是用于说明图6的(A)的凹部204c周边的放大图。

图7是表示本发明的一实施方式的内管的变形例的侧面剖视图。