[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序在审
申请号: | 202080082498.4 | 申请日: | 2020-01-28 |
公开(公告)号: | CN114762092A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 平野敦士 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 程序 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
基板保持件,其排列并保持基板;以及
反应管,其在内部收纳上述基板保持件,
上述基板保持件具有:
多个柱,其在所排列的上述基板的周围在与上述基板大致垂直的方向上分别延伸;
顶板,其将上述多个柱的各自的一端相互固定,且在中心具有开口;以及
底板,其将上述多个柱的各自的另一端相互固定,
上述反应管具有以与上述开口的形状对应的形状朝内侧突出的前端平坦的突出部,
上述突出部设置为在将上述基板保持件收纳于上述反应管的状态下插入于上述开口,且比上述顶板更接近于配置在上述基板保持件的最靠近顶板处的基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述突出部的高度被设定为,上述突出部与最靠近顶板地配置于上述基板保持件的上述基板之间的间隔、与在上述基板保持件上彼此相邻的基板间的间隔大致相等。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述反应管具有:内管,其收纳上述基板保持件;以及外管,其具有耐压构造且收纳上述内管,
上述内管还具有将上部终止的顶部,且上述突出部设置于上述顶部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备喷嘴,该喷嘴与上述基板的排列方向平行地延伸,且向所排列的上述基板分别供应气体,
上述内管在侧面还具有隆起部,该隆起部形成为向外侧隆起,且在其内部收纳上述喷嘴。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备能够旋转地支撑上述基板保持件的旋转轴,
上述开口及上述突出部形成为与上述旋转轴同心的圆形。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备罩,该罩从上表面及侧面包围上述基板保持件上的基板的排列位置中的包含最靠近底板的排列位置的多个排列位置,
上述基板保持件在被上述罩包围的上述多个排列位置不保持产品基板及监控基板,而在上述罩与上述顶板之间的多个排列位置保持多个产品基板或监控基板。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备罩,该罩从上表面及侧面包围上述基板保持件上的基板的排列位置中的包含最靠近底板的排列位置的多个排列位置,
上述喷嘴在与被上述罩包围的上述多个排列位置对应的位置不具有气体供应口,而在与保持在上述罩与上述顶板之间的多个排列位置的多个产品基板或监控基板对应的位置具有气体供应口。
8.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述内管的顶部的内表面整体沿着上述基板保持件的顶板的形状而形成。
9.根据权利要求1或5所述的基板处理装置,其特征在于,具有:
盖,其封闭使上述基板保持件向上述反应管构成的处理容器进出的开口;
旋转机构,其设置于上述盖并利用上述反应管保持上述基板保持件;以及
密封构件,其不使上述反应管与上述盖直接接触,而将上述反应管与上述盖之间密封,
上述突出部的高度被设定为,在上述密封构件成为能够密封的预定的压溃量时,上述突出部与最靠近顶板配置的上述基板之间的间隔与在上述基板保持件内彼此相邻的基板间的间隔大致相等。
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