[发明专利]化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

说明书

本发明涉及一种化合物，其由下述通式(1)或(2)表示。(式(1)中，R¹～R⁴各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R⁵和R⁶各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M¹表示镓原子或铟原子。)(式(2)中，R⁷～R¹⁰各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基等，R¹¹表示氢原子或碳数1～5的烷基，M²表示镓原子或铟原子。)

技术领域

本发明涉及一种新的化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。

背景技术

含有镓元素或铟元素的薄膜材料表现出特异性的电特性，应用于多种多样的技术。例如，该材料被用作用于LED、太阳能电池、功率半导体器件等的氧化物半导体和氮化物半导体，存储元件的电极材料、电阻膜、用于硬盘的记录层的反磁性膜、以及用于固体聚合物型燃料电池的催化剂材料。

作为上述薄膜的制造法，可举出：溅射法、离子镀法、涂布热解法、溶胶-凝胶法等金属有机化合物分解(MOD：Metal Organic Decomposition)法、化学气相沉积法等。其中，由于具有组成控制性、梯度覆盖性优异、适合量产化、可混合集成等众多优点，包括原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法在内的化学气相沉积(以下，有时简记为“CVD”)法是最佳的制造方法。

作为用于化学气相沉积法的镓原子和铟原子的供给源，大量报道了各种原料。例如，作为用于制造氮化镓薄膜的原料，专利文献1中公开了三乙基镓，专利文献2中公开了叠氮基二烷基镓。另外，专利文献3中，作为掺杂到氧化锌膜中的掺杂剂材料，公开了二甲基乙酰丙酮镓。另外，作为用于制造含有铟的氧化膜的原料，专利文献4中公开了双(三甲硅基)二乙基铟，专利文献5中公开了乙基环戊二烯基铟。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-149493号公报

专利文献2：日本特开2001-048886号公报

专利文献3：日本特表2010-502558号公报

专利文献4：日本特表2015-506416号公报

专利文献5：日本特开2018-090855号公报

发明内容

发明要解决的课题

在使CVD法等化合物气化而形成薄膜的方法中，作为原料使用的化合物(前体)特别要求具有以下性质：熔点低(优选在常温下为液体)，能够以良好的生产率制造高品质的薄膜。但是，作为薄膜形成用原料所使用的以往的镓化合物和铟化合物并不充分满足这些方面。

因此，本发明的目的在于，提供熔点比以往的镓化合物和铟化合物低、在用作薄膜形成用原料时能够以良好的生产率制造高品质的薄膜的镓化合物和铟化合物。

解决课题的手段

本发明人等反复进行了研究，结果发现，具有特定结构的配体的镓化合物和铟化合物能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明为下述通式(1)或(2)表示的化合物。

[化1]