[发明专利]化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法

权利要求书

1.化合物，其由下述通式(1)或(2)表示，

式中，R¹～R²各自独立地表示氢原子、碳数1～5的烷基或下述通式(X-1)表示的基团，R³～R⁴各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R⁵和R⁶各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，M¹表示镓原子或铟原子，

其中，在由R¹～R⁶各自表示的碳数1～5的烷基中，氢原子的一部分或全部可被氟原子取代，

式中，R²¹～R²²各自独立地表示碳数1～5的烷基，*表示键合位点，

式中，R⁷～R¹⁰各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R¹¹表示氢原子或碳数1～5的烷基，M²表示镓原子或铟原子，

其中，当R⁷和R⁸为甲基时，R¹¹表示氢原子、碳数1～5的伯烷基或碳数4～5的叔烷基，

其中，在由R⁷～R¹¹各自表示的碳数1～5的烷基中，氢原子的一部分或全部可被氟原子取代；

所述化合物不包括R¹～R²为H、R³～R⁶为甲基、M¹为镓的式(1)化合物。

2.权利要求1所述的化合物，其为所述通式(1)表示的化合物，其中，R¹和R²各自独立地为碳数1～3的烷基或所述通式(X-1)表示的基团，R³和R⁴各自独立地为碳数1～3的烷基，R⁵和R⁶各自独立地为碳数1～5的烷基。

3.权利要求1所述的化合物，其为所述通式(2)表示的化合物，其中，R⁷和R⁸各自独立地为碳数1～3的烷基，R⁹和R¹⁰各自独立地为碳数1～3的烷基，R¹¹为碳数1～5的烷基。

4.薄膜形成用原料，其含有权利要求1～3任一项所述的化合物。

5.薄膜的制造方法，其包括：

将使权利要求4所述的薄膜形成用原料气化而得到的原料气体引入设置有基体的处理气氛内的工序；和

使所述原料气体中的所述化合物发生分解和/或化学反应而在所述基体的表面形成含有镓原子或铟原子的薄膜的工序。