[发明专利]高纯度氯化氢气体的制造方法

权利要求书

1.高纯度氯化氢气体的制造方法，其特征在于，以将1,2-二氯乙烷热分解而制造氯乙烯时所产生的副产氯化氢气体作为原料，实施包括以下1)～3)工序的纯化工艺，

1)粗盐酸的生成工序，使所述副产氯化氢气体吸收于水中；

2)去除了挥发性有机杂质的盐酸的生成工序，在20～45℃的液温下使非活性气体与所述1)工序中得到的粗盐酸接触而使挥发性有机杂质解吸；

3)高纯度氯化氢气体的生成工序，将所述2)工序中得到的去除了挥发性有机杂质的盐酸供给至蒸馏塔，在塔底温度超过60℃且为108℃以下、塔顶温度为60℃以下的条件下进行蒸馏而将高纯度氯化氢气体馏出。

2.如权利要求1所述的高纯度氯化氢气体的制造方法，其中，在所述1)工序中得到的粗盐酸中，包含甲酸及乙酸的低分子羧酸的含量为3ppm以上。

3.如权利要求1或2所述的高纯度氯化氢气体的制造方法，其中，在所述1)工序中得到的粗盐酸中，溴离子的含量为5ppm以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的高纯度氯化氢气体的制造方法，其中，1,2-二氯乙烷包括通过以乙烯、氯化氢及氧作为原料的氧氯化反应而得到的1,2-二氯乙烷。

5.如权利要求1～4中任一项所述的高纯度氯化氢气体的制造方法，其中，在所述3)工序中，使从去除了挥发性有机杂质的盐酸中馏出氯化氢气体后的塔底液循环至所述1)工序的粗盐酸。

6.如权利要求1～5中任一项所述的高纯度氯化氢气体的制造方法，其中，高纯度氯化氢气体用于半导体制造。

7.高纯度盐酸的制造方法，其在实施权利要求1～6中任一项所述的高纯度氯化氢气体的制造方法之后，包括：

4)高纯度盐酸的生成工序，使得到的高纯度氯化氢气体吸收于水中。

8.如权利要求7所述的高纯度盐酸的制造方法，其进一步包括：

5)颗粒去除工序，利用微粒捕捉过滤器来处理所述4)工序中得到的高纯度盐酸。

9.如权利要求7或8所述的高纯度盐酸的制造方法，其中，在得到的高纯度盐酸中，包含甲酸及乙酸的低分子羧酸的含量为1ppm以下。

10.如权利要求7～9中任一项所述的高纯度盐酸的制造方法，其中，在得到的高纯度盐酸中，溴离子的含量为1ppm以下。

11.如权利要求7～10中任一项所述的高纯度盐酸的制造方法，其中，高纯度盐酸用于半导体制造。