[发明专利]基板清洗方法和基板清洗装置

说明书

本发明提供一种基板清洗方法，所述基板清洗方法包括以下工序：向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体；通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇；通过所述团簇去除附着于基板的微粒；以及从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起，在设定时间期间继续向所述喷嘴供给所述载气。

技术领域

本公开涉及一种基板清洗方法和基板清洗装置。

背景技术

专利文献1所记载的基板清洗方法包括以下工序：通过从喷嘴喷射三氟化氯气体与氩气的混合气体来形成三氟化氯的团簇；以及使形成的团簇与单晶硅的表面撞击。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-46001号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的一个方式提供一种能够在结束朝向基板喷射团簇形成气体与载气的混合气体时抑制在基板产生缺陷的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：

向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体；

通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇；

通过所述团簇来去除附着于基板的微粒；以及

从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起，在设定时间期间继续向所述喷嘴供给所述载气。

发明的效果

根据本公开的一个方式，能够在朝向基板喷射团簇形成气体与载气的混合气体时抑制在基板产生缺陷。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的基板清洗装置的侧视图。

图2是表示一个实施方式所涉及的喷嘴移动机构的俯视图。

图3是表示一个实施方式所涉及的团簇的形成的截面图。

图4是通过功能块表示一个实施方式所涉及的控制部的构成要素的图。

图5是表示一个实施方式所涉及的基板清洗方法的流程图。

图6是表示一个实施方式所涉及的基板清洗装置的动作定时的图。

图7是表示实施例所涉及的清洗后的基板的污染状况的图。

图8是表示以往例所涉及的清洗后的基板的污染状况的图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，有时在各附图中对相同或对应的结构标注相同或对应的附图标记，并且省略说明。在以下的说明中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是相互垂直的方向，X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。另外，下方是指铅垂向下方向(Z轴负方向)，上方是指铅垂向上方向(Z轴正方向)。

图1是表示一个实施方式所涉及的基板清洗装置的侧视图。基板清洗装置10通过朝向基板2的主表面3喷射气体来去除附着于基板2的主表面3的微粒5(参照图3)。基板2例如为硅晶圆等半导体基板。基板清洗装置10具备处理容器20、基板保持部30、旋转轴部34、旋转驱动部36、升降驱动部38、喷嘴40、驱动部50、气体供给部60、气体吸引部70以及控制部90。

处理容器20的内部具有对基板2进行处理的空间。处理容器20的内部例如为圆柱状的空间。处理容器20具有作为基板2的搬入搬出口的闸门(未图示)和用于开闭闸门的闸阀(未图示)。