[发明专利]基板清洗方法和基板清洗装置在审
申请号: | 202080071208.6 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN114556525A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 大野广基 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 | ||
1.一种基板清洗方法,包括以下工序:
向喷嘴供给通过绝热膨胀形成团簇的团簇形成气体与具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气的混合气体;
通过从所述喷嘴喷射所述混合气体来形成所述团簇;
通过所述团簇来去除附着于基板的微粒;以及
从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起,继续向所述喷嘴供给所述载气设定时间。
2.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
向所述喷嘴供给所述混合气体的工序包括以第一流量向所述喷嘴供给所述载气的工序,
所述基板清洗方法包括在所述设定时间期间以比所述第一流量多的第二流量向所述喷嘴供给所述载气的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法,其特征在于,
在向所述喷嘴供给所述混合气体的工序中包括具有禁止通过加热器加热所述喷嘴的工序,
所述基板清洗方法具有在所述设定时间期间通过加热器加热所述喷嘴的工序。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
在向所述喷嘴供给所述混合气体的工序中具有向所述喷嘴供给制冷剂的工序,
所述基板清洗方法具有在所述设定时间期间禁止向所述喷嘴供给所述制冷剂的工序。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
还包括以下工序:使所述喷嘴与所述基板的相对位置处于从所述喷嘴朝向所述基板喷射气体的位置所述设定时间。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述团簇形成气体包括从二氧化碳气体和氩气中选择出的一方以上的气体,
所述载气包括从氢气和氦气中选择出的一方以上的气体。
7.一种基板清洗装置,具备:
基板保持部,其保持基板;
喷嘴,其对通过所述基板保持部保持的所述基板喷射气体;
气体供给部,其向所述喷嘴供给通过从所述喷嘴进行喷射而绝热膨胀来形成团簇的团簇形成气体以及具有比所述团簇形成气体小的分子量或原子量的载气;以及
气体供给控制部,其控制所述气体供给部,
其中,所述气体供给控制部使得向所述喷嘴供给所述团簇形成气体与所述载气的混合气体,并且从结束向所述喷嘴供给所述团簇形成气体时起,继续向所述喷嘴供给所述载气设定时间。
8.根据权利要求7所述的基板清洗装置,其特征在于,
在向所述喷嘴供给所述混合气体的工序中,所述气体供给控制部使得以第一流量向所述喷嘴供给所述载气,
在所述设定时间期间,所述气体供给控制部使得以比所述第一流量多的第二流量向所述喷嘴供给所述载气。
9.根据权利要求7或8所述的基板清洗装置,其特征在于,具备:
加热器,其加热所述喷嘴;以及
加热器控制部,其控制所述加热器,
其中,在向所述喷嘴供给所述混合气体的工序中,所述加热器控制部禁止通过所述加热器加热所述喷嘴,在所述设定时间期间,所述加热器控制部通过所述加热器加热所述喷嘴。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的基板清洗装置,其特征在于,具备:
制冷剂供给部,其通过向所述喷嘴供给制冷剂来调节所述喷嘴的温度;以及
制冷剂供给控制部,其控制所述制冷剂供给部,
其中,在向所述喷嘴供给所述混合气体的工序中,所述制冷剂供给控制部使得向所述喷嘴供给所述制冷剂,在所述设定时间期间,所述制冷剂供给控制部禁止向所述喷嘴供给所述制冷剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080071208.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造