[发明专利]含有多元羧酸的、药液耐性保护膜

说明书

本发明提供在半导体基板加工时具有耐湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)包含至少3个羧基的化合物、(B)树脂或单体、和溶剂。优选上述(A)包含至少3个羧基的化合物具有环结构。优选上述环结构选自碳原子数6～40的芳香族环、碳原子数3～10的脂肪族环和杂环。

技术领域

本发明涉及在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成特别是对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物。此外，涉及应用了上述保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体制造中，在基板与形成在其上的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜，形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是众所周知的。在形成了抗蚀剂图案后进行基板的加工，作为其工序，主要使用干蚀刻，但有时根据基板种类而使用湿蚀刻。在专利文献1和2中公开了包含特定的化合物的耐过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2018/052130号公报

专利文献2：国际公开第2018/203464号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在使用抗蚀剂下层膜作为蚀刻掩模，通过湿蚀刻进行基底基板的加工的情况下，对抗蚀剂下层膜要求在基底基板加工时耐湿蚀刻液的良好的掩模功能(即，被掩蔽的部分可以保护基板)。

在这样的情况下，该抗蚀剂下层膜作为对基板的保护膜而使用。进一步，在湿蚀刻后将不需要的该保护膜通过干蚀刻而除去的情况下，为了不使基底基板产生损伤，该保护膜要求为可以通过干蚀刻而迅速地除去那样的蚀刻速度快(高蚀刻速率)的保护膜。

进一步，也要求对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能形成平坦的膜的保护膜形成用组合物。

以往，为了表现对作为湿蚀刻药液的一种的SC-1(氨-过氧化氢溶液)的耐性，使用了应用低分子化合物(例如没食子酸)作为添加剂的方法，但对于解决上述课题有限。

本发明的目的是解决上述课题。

用于解决课题的手段

本发明包含以下方案。

[1]

一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：

(A)包含至少3个羧基的化合物、

(B)树脂或单体、和

溶剂。

[2]

根据[1]所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，上述包含至少3个羧基的化合物(A)具有环结构。优选上述至少3个羧基与上述环结构直接、或经由碳原子数1～4的亚烷基结合。

[3]

根据[2]所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，上述环结构选自碳原子数6～40的芳香族环、碳原子数3～10的脂肪族环和杂环。

[4]

根据[3]所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，上述碳原子数6～40的芳香族环选自苯、萘和式(1)所示的化合物，