[发明专利]含有多元羧酸的、药液耐性保护膜

权利要求书

1.一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：

(A)包含至少3个羧基的化合物、

(B)树脂或单体、和

溶剂。

2.根据权利要求1所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述包含至少3个羧基的化合物(A)具有环结构。

3.根据权利要求2所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述环结构选自碳原子数6～40的芳香族环、碳原子数3～10的脂肪族环和杂环。

4.根据权利要求3所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述碳原子数6～40的芳香族环选自苯、萘和式(1)所示的化合物，

在式(1)中，X为直接键合、选自-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-CO-、-SO₂-和-C(CF₃)₂-中的2价有机基，

R₁和R₂各自独立地为选自碳原子数1～4的烷基、羟基、氰基、硝基、卤原子和碳原子数1～4的烷氧基中的1价有机基，n₁和n₂各自独立地表示1～9的整数，n₁+n₂为3～10的整数，m₁和m₂各自独立地表示0～7的整数，m₁+m₂为0～7的整数。

5.根据权利要求1所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述树脂或单体(B)在该树脂的单元结构内或单体分子内具有至少1个羟基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其进一步包含选自交联剂、交联催化剂和表面活性剂中的至少一种。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述半导体湿蚀刻液包含过氧化氢水。

8.根据权利要求7所述的耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，所述过氧化氢水为酸性过氧化氢水。

9.一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜，其特征在于，是由权利要求1～8中任一项所述的保护膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

10.一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其特征在于，包含下述工序：将权利要求1～8中任一项所述的保护膜组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成作为抗蚀剂下层膜的保护膜的工序；在该保护膜上形成抗蚀剂膜，接着进行曝光、显影而形成抗蚀剂图案的工序，所述制造方法用于半导体的制造。

11.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在表面可形成有无机膜的半导体基板上，使用权利要求1～8中任一项所述的保护膜形成用组合物而形成保护膜，在所述保护膜上形成抗蚀剂图案，以所述抗蚀剂图案作为掩模将所述保护膜进行干蚀刻而使所述无机膜或所述半导体基板的表面露出，以干蚀刻后的所述保护膜作为掩模，使用半导体用湿蚀刻液将所述无机膜或所述半导体基板进行湿蚀刻和/或洗涤的工序。