[发明专利]气体供给装置和气体供给方法

说明书

在向保存基板的处理容器供给处理气体来进行处理的气体供给装置中，具备：原料容器，其收容液体或固体的原料；载气供给部，其用于向所述原料容器内供给载气；气体供给路，其从所述原料容器向所述处理容器供给包含气化后的所述原料和所述载气的处理气体；流量计，其设置于所述气体供给路，以测定所述处理气体的流量；以及被缩窄的流路，其在所述气体供给路中设置于所述流量计的下游侧，以使该气体供给路中的、所述被缩窄的流路与所述流量计之间的压力的平均值上升。

技术领域

本公开涉及一种气体供给装置和气体供给方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，对作为基板的半导体晶圆(下面记载为晶圆)进行各种气体处理。作为该气体处理之一，例如具有通过ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)进行成膜。在专利文献1中记载了一种具备向处理容器供给WCl₆(六氯化钨)气体，以通过ALD在晶圆形成W(钨)膜的气体供给机构的成膜装置。该气体供给机构具备用于收容作为固体原料的WCl₆的原料罐、向原料罐供给载气的气体供给源以及将原料罐与处理容器连接的气体供给线路，其中，在气体供给线路中朝向下游侧依次设置有流量计、用于暂时贮存气体的罐以及阀。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-145458号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够提高向基板供给的处理气体所包含的原料气体的流量的检测精度的技术。

用于解决问题的方案

本公开的气体供给装置向保存基板的处理容器供给处理气体来进行处理，所述气体供给装置具备：

原料容器，其收容液体或固体的原料；

载气供给部，其用于向所述原料容器内供给载气；

气体供给路，其从所述原料容器向所述处理容器供给包含气化后的所述原料和所述载气的处理气体；

流量计，其设置于所述气体供给路，以测定所述处理气体的流量；以及

在所述气体供给路中设置于所述流量计的下游侧、且为了使与该气体供给路中的所述流量计之间的压力的平均值上升而被缩窄的流路。

发明的效果

根据本公开，能够提高向基板供给的处理气体所包含的原料气体的流量的检测精度。

附图说明

图1是包括作为本公开的一个实施方式的气体供给装置的成膜装置的纵剖侧视图。

图2是表示设置于所述成膜装置中的处理气体供给管的概要图。

图3是表示所述处理气体供给管中的压力分布的说明图。

图4是用于说明检测到的流量的曲线图。

图5是设置于所述处理气体供给管的节流孔的立体图。

图6是表示处理气体中包含的原料气体的流量调整工序的流程图。

图7是表示处理气体供给管中的气体流通的情形的说明图。

图8是表示处理气体供给管中的气体流通的情形的说明图。

图9是表示评价试验的结果的曲线图。

图10是表示评价试验的结果的曲线图。

图11是表示评价试验的结果的曲线图。

图12是表示评价试验的结果的曲线图。

具体实施方式