[发明专利]发光器件、用于其的制造方法和包括其的显示装置在审
| 申请号: | 202080063197.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN114365289A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
| 发明(设计)人: | 车炯来;金东旭;金明姬;金世咏;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 用于 制造 方法 包括 显示装置 | ||
提供了一种发光器件、其制造方法以及包括该发光器件的显示装置。发光器件包括:第一半导体层,掺杂有第一极性,并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分;第二半导体层,掺杂有与第一极性不同的第二极性;活性层,设置在第一半导体层与第二半导体层之间;以及绝缘膜,设置为至少包围活性层的外表面并且在第一方向上延伸,其中,第二部分的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径大于第一部分的在第二方向上测量的直径,并且第二部分的侧表面是倾斜的。
技术领域
公开涉及一种发光器件、用于该发光器件的制造方法以及包括该发光器件的显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此,已经使用了诸如有机发光显示器、液晶显示器等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置,并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如,发光二极管(LED)),并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
使用无机半导体作为荧光材料的无机发光二极管具有即使在高温环境中也具有耐久性的优点,并且具有比有机发光二极管的蓝光效率高的蓝光效率。此外,在正如指出为常规无机发光二极管的缺点的制造工艺中,已经开发了使用介电泳(DEP)方法的转移方法。因此,已经对与有机发光二极管相比具有优异耐久性和效率的无机发光二极管进行了持续研究。
发明内容
技术问题
公开的方面提供了一种发光器件和一种制造该发光器件的方法,通过蚀刻半导体晶体来制造该发光器件并且该发光器件的两端具有不同的宽度。
公开的方面还提供了一种显示装置,该显示装置包括以上发光器件,并且因此在发光器件与接触电极之间具有增大的接触面积。
应当注意,公开的方面不限于此,并且根据下面的描述,这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例,一种发光器件包括:第一半导体层,掺杂有第一极性并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到第一部分的一侧的第二部分;第二半导体层,掺杂有与第一极性不同的第二极性;活性层,设置在第一半导体层与第二半导体层之间;以及绝缘膜,围绕至少活性层的外表面并且在第一方向上延伸,其中,第二部分的在垂直于第一方向的第二方向上测量的直径大于第一部分的在第二方向上测量的直径,并且第二部分的侧表面是倾斜的。
绝缘膜可以围绕第一半导体层的第一部分的外表面,并且第二部分的侧表面可以被暴露而不接触绝缘膜。
第二部分的长度可以是发光器件的长度的约10%。
第二部分可以包括连接到第一部分的上表面和面对上表面的下表面,并且第二部分的下表面的直径可以大于上表面的直径。
第一半导体层的第二部分的下表面的直径可以是第一半导体层的第一部分的直径的1.25倍至1.8倍。
第二部分的下表面可以具有750nm至900nm的直径。
第二部分的下表面的直径可以大于第一部分的直径与绝缘膜的厚度的总和。
第二部分的上表面的至少一部分可以接触绝缘膜。
由第二部分的下表面和侧表面形成的夹角可以在65度至80度的范围内。
发光器件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层。
电极层的侧表面的一部分可以被暴露而不接触绝缘膜。
绝缘膜可以具有弯曲的外表面,使得绝缘膜的厚度沿着一个方向减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





