[发明专利]发光器件、用于其的制造方法和包括其的显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一半导体层，掺杂有第一极性并且包括在第一方向上延伸的第一部分和连接到所述第一部分的一侧的第二部分；

第二半导体层，掺杂有与所述第一极性不同的第二极性；

活性层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及

绝缘膜，围绕至少所述活性层的外表面并且在所述第一方向上延伸，

其中，所述第二部分的在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的直径大于所述第一部分的在所述第二方向上测量的直径，并且所述第二部分的侧表面是倾斜的。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘膜围绕所述第一半导体层的所述第一部分的外表面，并且

所述第二部分的所述侧表面被暴露而不接触所述绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二部分的长度是所述发光器件的长度的约10％。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第二部分包括连接到所述第一部分的上表面和面对所述上表面的下表面，并且

所述第二部分的所述下表面的直径大于所述上表面的直径。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的所述第二部分的所述下表面的所述直径是所述第一半导体层的所述第一部分的所述直径的1.25倍至1.8倍。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述下表面具有750nm至900nm的直径。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述下表面的所述直径大于所述第一部分的所述直径与所述绝缘膜的厚度的总和。

8.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二部分的所述上表面的至少一部分接触所述绝缘膜。

9.根据权利要求4所述的发光器件，其中，由所述第二部分的所述下表面和所述侧表面形成的夹角在65度至80度的范围内。

10.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括设置在所述第二半导体层上的电极层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述电极层的侧表面的一部分被暴露而不接触所述绝缘膜。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述绝缘膜具有弯曲的外表面，使得所述绝缘膜的厚度沿着所述一个方向减小。

13.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：

准备基底并且形成设置在所述基底上并包括第一半导体的半导体结构；

通过部分地蚀刻所述半导体结构来形成多个孔和半导体晶体，所述多个孔使所述第一半导体的一部分暴露，所述半导体晶体包括所述第一半导体的一部分并且彼此间隔开；以及

形成设置在所述半导体晶体的外表面和所述第一半导体的暴露的所述一部分上的绝缘膜，并且把通过蚀刻所述绝缘膜和与所述多个孔叠置的所述第一半导体而形成的器件棒与所述基底分离。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述器件棒中的每个包括：

第一半导体层，包括在一方向上延伸的第一部分和连接到所述第一部分的一侧并且具有比所述第一部分的直径大的直径的第二部分，

活性层，设置在所述第一半导体层的所述第一部分上，以及

第二半导体层，设置在所述活性层上。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述半导体晶体中的每个包括所述第一半导体层的所述第一部分，并且

在形成所述器件棒的步骤中，蚀刻沿着所述多个孔暴露的所述第一半导体以形成所述第一半导体层的所述第二部分，并且部分地去除所述绝缘膜以使所述半导体晶体的上表面暴露。