[发明专利]用于接触垫的开放式网状物电支撑件及制造方法在审
| 申请号: | 202080061424.2 | 申请日: | 2020-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN114830304A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | A·波斯卡;J·本茨;V·穆萨拉姆托塔;S·R·肯普沙尔;D·亨利;A·邓兹 | 申请(专利权)人: | 伊倍达公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 岳永先 |
| 地址: | 意大利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 接触 开放式 网状 支撑 制造 方法 | ||
1.一种用于至少一个电接触垫的电支撑件,包括:
绝缘粘弹性基体;以及
至少一个可弹性变形的结构,该结构由导电材料制成并形成开放式网状物,至少一个所述结构至少包括:
嵌入绝缘基体内的芯部,和
至少一个连接部,该连接部延伸出所述绝缘基体并且被配置为连接到所述至少一个电接触垫,
其中,所述结构包括基本上对应于所述结构的所述芯部的刚性部分和基本上对应于所述结构的至少一个所述连接部的至少一个较柔性部分。
2.根据权利要求1所述的支撑件,其中,所述粘弹性基体由包括疏水性弹性体的材料制成。
3.根据前述权利要求中任一项所述的支撑件,其中,所述结构包括由碳基材料制成的结构,任选地,其中碳基结构的所述材料包括至少一种碳同素异形体。
4.根据权利要求3所述的支撑件,其中,至少一种所述碳同素异形体包括以下中的至少一种:
一种或多种碳纳米管,CNTs;
一种或多种碳纳米芽;
一种或多种碳豆荚结构;
一种或多种石墨烯化的一种或多种CNTs;
一种或多种3D纳米结构,包含石墨烯和至少一种CNT的混合物的;
玻璃碳;
石墨烯;
一种或多种富勒烯;
一种或多种石墨片状物;和/或
碳纳米泡沫,
可选地,其中所述碳基结构包括CNTs的高度有序或随机网络,该随机网络包括CNT海绵,或者可选地,其中所述碳基结构包括玻璃碳纳米点阵和/或CNT纳米点阵,可选地,其中该玻璃碳纳米点阵进一步包括金属薄层以增强该纳米点阵的导电性,可选地,其中该金属薄层包括铅、铂、金或钛中的至少一种的薄层。
5.根据前述权利要求中任一项所述的支撑件,其中,所述结构包括由纳米丝和/或纳米纤维制成的结构,例如由以下中的至少一种组成的纳米丝和/或纳米纤维:
一种或多种金属;
半导体;和/或
超导体。
6.根据前述权利要求中任一项所述的支撑件,其中,所述刚性部分包括以下中的至少一种:
比所述较柔性部分中的梁或线更粗的梁或线;和/或
比所述较柔性部分更多的梁或线,该梁或线基本上垂直于所述至少一个电接触垫;
比所述较柔性部分更多的网状物互连结构;和/或
比所述较柔性部分更高密度的网状物。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的支撑件,其中,所述刚性部分包括以下中的至少一种:
与所述较柔性部分中的CNTs相比的一种或不同类型的CNTs,包括以下中的至少一种:
与所述较柔性部分中的CNTs的手性相比,CNTs的手性不同;和/或
与所述较柔性部分中的所述CNTs的壁的数量相比,所述CNTs的壁的数量不同;
与所述较柔性部分中的CNTs的直径相比,CNTs的直径不同;和/或
与与所述较柔性部分中的CNTs的表面性质相比,CNTs的表面性质不同;
与所述较柔性部分相比,碳同素异形体的不同组合,包括所述碳同素异形体之间的拓扑和互连的差异和/或碳同素异形体的表面性质的差异;和/或
比所述较柔性部分更高的CNT密度;和/或
比所述较柔性部分更高密度的纳米点阵。
8.根据前述权利要求中任一项所述的支撑件,该支撑件被配置为所述至少一个电接触垫的两个阵列之间的插入件,所述结构的第一连接部被配置为连接到所述至少一个电接触垫的两个阵列中的第一阵列,以及
其中,所述结构还包括第二连接部,所述第二连接部延伸出所述绝缘基体并且被配置为连接到所述至少一个电接触垫的所述两个阵列中的第二阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





