[发明专利]曝光装置以及物品制造方法在审
申请号: | 202080060758.8 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN114286966A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 中山谅;小林大辅 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 程晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 以及 物品 制造 方法 | ||
在进行基板的扫描曝光的曝光装置中,利用来自光源(1)的光对原版(24)的被照明面进行照明的照明光学系统具有:衍射光学元件(6),在预定面上通过衍射作用变换来自所述光源(1)的光束的光强度分布;第1遮光部(18),配置于从所述被照明面的共轭面向所述光源侧散焦后的位置;以及第2遮光部(20),配置于从所述被照明面的所述共轭面向所述被照明面侧散焦后的位置。所述衍射光学元件(6)具有以下衍射特性:针对由所述第1遮光部(18)和所述第2遮光部(20)在所述被照明面上产生的、对通过所述扫描曝光对某一点进行照明的期间中的入射角度分布进行累计而得到的累计入射角度分布,降低所述扫描曝光的扫描方向和与该扫描方向正交的非扫描方向之差。
技术领域
本发明涉及曝光装置以及物品制造方法。
背景技术
伴随半导体器件的微细化,对于在作为半导体器件的制造工序的光刻工序中使用的曝光装置,要求进一步的高分辨率化。为了达到高分辨率,曝光的光的短波长化、投影光学系统的数值孔径(NA)的增加(高NA化)、还有变形照明(环带照明、双极照明、四极照明等)的使用是有效的。
另一方面,伴随近年来的器件构造的多层化,曝光装置还被要求高的重叠精度。在专利文献1中,公开了在作为被照明面的共轭面的遮蔽单元104的前后配置有遮光部103以及遮光部105的双缝结构(图1)。该双缝结构对于提高重叠精度是有效的。
另外,在专利文献1中,还公开了配置用于缓和由双缝结构引起的累计有效光源分布的非对称性的遮光部401或者滤光器402(图12、图14)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-73835号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在配置用于缓和由双缝结构引起的累计有效光源分布的非对称性的遮光部或者滤光器的情况下,像面照度下降。像面照度下降导致吞吐量下降,所以是不优选的。
本发明例如提供有利于同时实现照明光学系统的像面的照度分布的校正性能和像面照度的下降的抑制的曝光装置。
课题的解决手段
根据本发明的一个方面,提供一种曝光装置,该曝光装置进行基板的扫描曝光,其特征在于,具有照明光学系统,该照明光学系统利用来自光源的光对原版的被照明面进行照明,所述照明光学系统具有:衍射光学元件,在预定面上通过衍射作用变换来自所述光源的光束的光强度分布;第1遮光部,配置于从所述被照明面的共轭面向所述光源侧散焦后的位置;以及第2遮光部,配置于从所述被照明面的所述共轭面向所述被照明面侧散焦后的位置,所述衍射光学元件具有以下衍射特性:针对由所述第1遮光部和所述第2遮光部在所述被照明面上产生的、对通过所述扫描曝光对某一点进行照明的期间中的入射角度分布进行累计而得到的累计入射角度分布,降低所述扫描曝光的扫描方向和与该扫描方向正交的非扫描方向之差。
发明的效果
根据本发明,例如,能够提供有利于同时实现照明光学系统的像面的照度分布的校正性能和像面照度的下降的抑制的曝光装置。
本发明的其他特征以及优点将通过以附图为参照的以下的说明而变得清楚。此外,在附图中,对相同的或者同样的结构附加相同的参照编号。
附图说明
附图包含于说明书,构成其一部分,示出本发明的实施方式,与其记述一起用于说明本发明的原理。
图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的概略剖面图。
图2是说明累计有效光源的图。
图3是说明累计有效光源的图。
图4是示出遮光部的结构的图。
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