[发明专利]摄像装置及电子设备在审
| 申请号: | 202080056554.7 | 申请日: | 2020-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN114207828A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 米田诚一;根来雄介;池田隆之;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/33;H04N5/347;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
提供一种具有图像处理功能,并能够进行高速工作的摄像装置。本发明是一种具有图像处理等附加功能的摄像装置,该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据保持在像素中,而取出该模拟数据乘任意权重系数而得的数据。另外,在该摄像装置中,通过充电到布线的电荷的再次分配来生成用于像素中的运算的部分电位。因此,可以与将该电位从其他电路提供给像素的情况相比,可以以更高速、低功耗进行运算。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种摄像装置。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此,更具体而言,作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的工作方法或者这些装置的制造方法。
注意,在本说明书等中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外,存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包含半导体装置。
背景技术
使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如,专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流非常低的晶体管用于像素电路的结构的摄像装置。
另外,专利文献2公开了对摄像装置赋予运算功能的技术。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2011-119711号公报
[专利文献2]日本专利申请公开第2016-123087号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
随着技术的发展,在包括CMOS图像传感器等固态摄像元件的摄像装置中,能够容易拍摄高品质的图像。需要下一代摄像装置具有更高智能性的功能。
利用摄像装置取得的图像数据(模拟数据)被转换为数字数据且被提取到外部,然后根据需要被进行图像处理。当能够在摄像装置内进行该处理时,可以以更高速与外部设备联动,并且使用者的方便性提高。另外,也可以减少外围装置等的负载及功耗。另外,如果能够以模拟数据的状态进行复杂的数据处理,就可以缩短数据转换所需要的时间。
因此,本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够进行图像处理的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以进行高速工作的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的摄像装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的摄像装置等。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种上述摄像装置的驱动方法。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置等。
注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意,本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。除上述目的外的目的从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的,并且可以从所述描述中抽出。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式涉及一种具有图像处理功能并可以进行高速工作的摄像装置。
本发明的一个方式是一种摄像装置,该摄像装置包括第一像素、第二像素以及第一晶体管,第一像素及第二像素各自包括第二晶体管及电容器,第二晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的一个电极电连接,第一像素所包括的电容器的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,第二像素所包括的电容器的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





