[发明专利]摄像装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 202080056554.7 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN114207828A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 米田诚一;根来雄介;池田隆之;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/33;H04N5/347;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种摄像装置,包括:

第一像素;

第二像素;以及

第一晶体管,

其中,所述第一像素及所述第二像素各自包括第二晶体管及电容器,

所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接,

所述第一像素所包括的所述电容器的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

并且,所述第二像素所包括的所述电容器的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。

2.根据权利要求1所述的摄像装置,

其中所述第一像素及所述第二像素各自还包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及光电转换器件,

所述电容器的另一个电极与所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的源极和漏极中的一个及所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接,

并且所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个与所述光电转换器件的一个电极电连接。

3.根据权利要求2所述的摄像装置,

其中所述光电转换器件对红外光具有光灵敏度。

4.根据权利要求2或3中任一项所述的摄像装置,

其中所述光电转换器件在光电转换层中包含化合物半导体。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置,还包括第一电路,

其中所述第一电路具有输出第一电位或第二电位的功能,

并且所述第一电路与所述第一像素及所述第二像素各自包括的所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的摄像装置,还包括第二电路,

其中所述第二电路被用作相关双采样电路,

并且所述第二电路与所述第一像素及所述第二像素各自包括的所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的摄像装置,

其中所述第一晶体管至所述第六晶体管中的一个以上在沟道形成区域包含金属氧化物,

并且所述金属氧化物包含In、Zn、M(M是Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的一个或多个)。

8.一种摄像装置,包括:

像素块;

第一电路;以及

第二电路,

其中,所述像素块包括n(n为2以上的自然数)个像素,

所述第一电路具有将选自第一电位、第二电位及第三电位中的两个以上的任意电位提供给所述n个像素的每一个的功能,

所述n个像素的每一个具有取得第一图像数据的功能,

所述n个像素的每一个具有将所述第一电位、所述第二电位和所述第三电位中的任意个与所述第一图像数据相加来生成第二图像数据的功能,

所述像素块具有将所述第一电位、所述第二电位或所述第三电位的全部相加且该值除以所述n而生成第四电位的功能,所述第一电位、所述第二电位或所述第三电位以选自所述n个像素的m(m为1至n的自然数)个像素为对象从所述第一电路被提供给所述m个像素的每一个,

所述n个像素的每一个具有将所述第一图像数据与所述第四电位相加来生成第三图像数据的功能,

并且,所述第二电路具有生成第五图像数据的功能,该第五图像数据相当于所述n个像素所输出的所述第二图像数据之和与所述n个像素所输出的所述第三图像数据之和的差分。

9.一种包括权利要求1至8中任一项所述的摄像装置以及显示装置的电子设备。

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