[发明专利]半导体制造装置用构件

说明书

本发明的半导体制造装置用构件是在表面为晶片载置面的陶瓷板的背面设置有中空陶瓷轴的结构。该半导体制造装置用构件具备埋设于陶瓷板的RF电极、配置于陶瓷轴的中空内部的外侧的RF连接器、以及设置于RF连接器与RF电极之间的RF连杆构件。RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部，分支部延续至陶瓷轴的外侧。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用构件。

背景技术

在蚀刻装置、CVD装置等半导体制造装置中，有时使用在表面为晶片载置面的圆盘状陶瓷板的背面连接有圆筒状陶瓷轴的结构的半导体制造装置用构件。作为这样的半导体制造装置用构件，已知有在陶瓷板中埋设高频电极(RF电极)，利用该RF电极产生等离子体的构件。例如，在专利文献1的半导体制造装置用构件中，在RF电极上连接有多个RF杆，多个RF杆从配置在陶瓷轴的中空内部的1个RF连接器分支。在专利文献1中，由于具备多个RF杆而并非1根RF杆，因此能够减小流过每1根RF杆的电流，与此相伴，每1根RF杆的发热量也减少。因此，难以在陶瓷板上产生热点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-184642号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，若如专利文献1那样在陶瓷轴的中空内部配置RF连接器，则有时因RF连接器发热而导致陶瓷轴的中空内部的温度变高。在该情况下，即使RF杆的发热量小，RF杆的温度也容易上升，有可能在陶瓷板产生热点。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，在具备多个RF杆的半导体制造装置用构件中，确实地防止在陶瓷板上产生热点。

用于解决课题的方案

本发明的半导体制造装置用构件是在表面为晶片载置面的陶瓷板的背面设置有中空陶瓷轴的结构，具备：

RF电极，其埋设于所述陶瓷板；

RF连接器，其配置在所述陶瓷轴的中空内部的外侧；以及

RF连杆构件，其设置在所述RF连接器与所述RF电极之间，

所述RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部，所述分支部延续至所述陶瓷轴的外侧。

在该半导体制造装置用构件中，RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部。由此，RF连杆构件的电流流路的表面积增加，因此能够抑制由趋肤效应引起的电阻的增加。另外，流过每1根RF杆的电流变小，因此每1根RF杆的发热量减少。另一方面，RF连接器配置在陶瓷轴的中空内部的外侧。由此，即使RF连接器发热，陶瓷轴的中空内部的温度也不会因此变高。因此，不会导致配置于陶瓷轴的中空内部的RF杆的温度容易上升这样的状况。因此，根据本发明的半导体制造装置用构件，能够确实地防止在陶瓷板上产生热点。

在本发明的半导体制造装置用构件中，也可以是，所述多个RF杆在所述陶瓷板的背面的近前的第一汇集部汇集成1个而与所述RF电极连接。这样，在将RF连杆构件与RF电极连接时，能够减少设置于陶瓷板的孔。

在本发明的半导体制造装置用构件中，也可以是，所述多个RF杆独立地与所述RF电极连接。这样，即使多个RF杆中的1个由于某种原因而从RF电极脱离，也能够从其他RF杆向RF电极供给电力。