[发明专利]半导体制造装置用构件

权利要求书

1.一种半导体制造装置用构件，其是在表面为晶片载置面的陶瓷板的背面设置有中空陶瓷轴的结构，具备：

RF电极，其埋设于所述陶瓷板；

RF连接器，其配置在所述陶瓷轴的中空内部的外侧；以及

RF连杆构件，其设置在所述RF连接器与所述RF电极之间，

所述RF连杆构件具有由多个RF杆构成的分支部，所述分支部延续至所述陶瓷轴的外侧。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，所述多个RF杆在所述陶瓷板的背面的近前的第一汇集部汇集成1个而与所述RF电极连接。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，所述多个RF杆分别与所述RF电极连接。

4.根据权利要求3所述的半导体制造装置用构件，所述RF电极在所述陶瓷板的内部涉及高度不同的多个面而设置，

所述多个RF杆分别与所述RF电极的各面连接。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体制造装置用构件，所述多个RF杆在所述RF连接器的近前的第二汇集部汇集成1个而与所述RF连接器连接。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体制造装置用构件，将所述RF杆沿与长度方向垂直的方向切断时的截面为在外周部具有至少1个凹部的形状。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体制造装置用构件，具备：

电阻发热体，其埋设于所述陶瓷板；以及

一对加热杆，其与所述电阻发热体连接，并穿过所述陶瓷轴的中空内部而设置至所述陶瓷轴的外侧为止，

所述RF连杆构件的基端位于比所述加热杆的基端更靠近所述陶瓷轴的位置。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体制造装置用构件，具备：

电阻发热体，其埋设于所述陶瓷板，

一对加热杆，其与所述电阻发热体连接，并穿过所述陶瓷轴的中空内部而设置至所述陶瓷轴的外侧为止，

所述RF杆比所述加热杆粗。