[发明专利]防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法在审

专利信息
申请号: 202080056022.3 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN114175283A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: T·里斯温克尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/48;H01L25/075;H01L25/16;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 腐蚀 器件 制造 方法
【说明书】:

说明了一种光电子器件(100),具有载体(1)和布置在所述载体上的半导体芯片(2),其中所述载体具有安装面(1M),所述安装面(1M)设置有反射涂层(4)。防腐蚀层(7)形成在所述半导体芯片上,并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间。所述反射涂层设置有阻挡层(5),所述阻挡层(5)在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间。所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。尤其是所述阻挡层(5)的垂直层厚度在1nm和100nm之间,包括端值。此外,所述防腐蚀层(7)的垂直层厚度在10nm和5000nm之间,包括端值。此外说明了一种用于制造器件的方法,尤其是用于制造这种器件的方法。

技术领域

说明了一种器件,尤其是一种光电子器件。还说明了一种用于制造光电子器件的方法。

背景技术

用于光电子半导体芯片的载体具有安装面,在所述安装面上布置有一个部件、尤其是一个光电子半导体芯片或多个部件。为了将从光电子半导体芯片发射的电磁辐射有效地反射离开所述载体,所述安装面优选地设置有反射涂层,尤其是银涂层。然而,所述反射涂层可能例如在腐蚀性气体(例如H2S气体)的影响下由于腐蚀而退化并改变其原始颜色。

例如,银层在H2S气体的影响下将其颜色从反射金属银变为较暗的颜色。由于这种颜色变化,被腐蚀的反射涂层的反射率降低。由于反射率根据波长而不同地改变或退化,因此与未腐蚀的器件相比,由光电子器件发射的光的色度坐标可能以不期望的方式改变。

发明内容

一个任务是说明一种有效且颜色稳定的器件。另一个任务在于说明一种用于制造器件的可靠且成本有利的方法。

这些任务通过根据独立权利要求的器件以及由于制造器件的方法来解决。所述方法或所述器件的其他设计和扩展是其它权利要求的主题。

根据器件、尤其是光电子器件的至少一个实施方式,所述器件具有载体和布置在所述载体上的部件。所述部件可以是半导体芯片,尤其是光电子半导体芯片。当器件运行时,所述半导体芯片例如被设置为产生电磁辐射。所述载体具有优选设置有反射涂层的安装面。所述部件可以布置在所述反射涂层上。

根据所述器件的至少一个实施方式,在所述部件上形成防腐蚀层,其中所述部件在所述反射涂层和所述防腐蚀层之间沿垂直方向布置。在俯视图中,所述防腐蚀层可以完全覆盖所述部件。所述反射涂层的大部分,例如所述反射涂层的至少50%、60%、70%、80%或至少90%,可以被所述防腐蚀层覆盖。可能的是,在所述载体的俯视图中,所述反射涂层被所述防腐蚀层完全覆盖。

垂直方向通常应理解为垂直于所述载体的主延伸面的方向。相反,横向方向应理解为尤其平行于所述载体的主延伸面分布的方向。所述垂直方向和所述横向方向是彼此横向的,例如彼此正交。

根据所述器件的至少一个实施方式,所述器件具有阻挡层,所述阻挡层在垂直方向上至少局部地布置在所述部件与所述反射涂层之间。所述阻挡层优选地由无机材料形成并且可以用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。所述阻挡层和所述防腐蚀层可以由相同的材料形成或由不同的材料形成。尤其是,所述防腐蚀层被实施为电绝缘的。所述阻挡层可以被实施为电绝缘的或导电的。所述阻挡层尤其是沿垂直方向布置在所述防腐蚀层与所述反射涂层之间。在所述载体的俯视图中,所述阻挡层和所述防腐蚀层的总和可以完全覆盖所述反射涂层。

在光电子器件的至少一个实施方式中,所述光电子器件具有载体和布置在所述载体上的半导体芯片。所述载体具有设置有反射涂层的安装面。在所述半导体芯片上形成防腐蚀层,其中所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间。所述反射涂层设置有阻挡层,其中所述阻挡层在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间。所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层。所述阻挡层可以布置在所述连接层与所述反射涂层之间。所述阻挡层尤其是直接布置在所述反射涂层上。在俯视图中,所述防腐蚀层尤其是布置在被所述阻挡层覆盖的反射层上并且可以部分或完全覆盖反射层。

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