[发明专利]防腐蚀的器件和制造防腐蚀的器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件（100），具有载体（1）和布置在所述载体上的半导体芯片（2），其中

-所述载体具有安装面（1M），所述安装面（1M）设置有反射涂层（4），

-防腐蚀层（7）形成在所述半导体芯片上，并且所述半导体芯片在垂直方向上布置在所述反射涂层与所述防腐蚀层之间，

-所述反射涂层设置有阻挡层（5），所述阻挡层（5）在垂直方向上局部地布置在所述半导体芯片与所述反射涂层之间，

-所述阻挡层由无机材料形成并且用作所述反射涂层的附加防腐蚀层，

-所述阻挡层（5）的垂直层厚度在1nm和100nm之间，包括端值，以及

-所述防腐蚀层（7）的垂直层厚度在10nm和5000nm之间，包括端值。

2.根据权利要求1所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）具有三维网络结构并且因此被实施为独立层。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料或氟化物材料。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是基于硅氧烷、基于聚硅氧烷或聚硅氧烷型的材料。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）的无机材料是辐射可透过且导电的材料。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述阻挡层（5）是电绝缘层。

7. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，

-所述阻挡层（5）的垂直层厚度在1nm和50nm之间，包括端值，以及

-所述防腐蚀层（7）的垂直层厚度在10nm和1000nm之间，包括端值。

8. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）经由至少一个电连接结构（8）与所述载体（1）导电连接，其中所述电连接结构沿垂直方向穿过所述阻挡层（5）地一直延伸至所述安装面（1M）。

9. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述载体（1）是外壳（10）的一部分，所述外壳由非金属外壳框架（10G）横向地包围，其中

-所述外壳框架具有空腔（3），在所述空腔（3）的底面（3B）上布置有所述半导体芯片（2），以及

-所述空腔具有被所述阻挡层（5）覆盖的围绕的外表面（3W）。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）是体积发射器。

11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述半导体芯片（2）借助于连接层（6）固定在所述阻挡层（5）上，其中所述连接层具有用于反射电磁辐射的反射颗粒（6P）、用于改善导热性的颗粒或导电颗粒（6L）。

12. 根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（100），其中，所述防腐蚀层（7）和所述阻挡层（5）由相同的材料形成。

13.根据权利要求1所述的光电子器件（100），其中

-所述反射涂层（4）是银涂层，

-所述半导体芯片（2）是体积发射器，所述体积发射器借助于连接层（6）固定在所述阻挡层（5）上，

-所述连接层具有粘合基质材料（6A），所述连接层被设置为在所述器件运行期间反射由所述半导体芯片发射的电磁辐射，

-所述阻挡层（5）是电绝缘的，以及

-所述半导体芯片（2）经由电连接结构（8）与所述载体（1）导电连接，其中所述电连接结构沿垂直方向延伸穿过所述阻挡层，并且在此过程中直接邻接所述阻挡层。