[发明专利]具有声波谐振器和有源电路的单片管芯在审
| 申请号: | 202080054055.4 | 申请日: | 2020-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN114175241A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | T·卡姆嘎因;G·多吉阿米斯;F·艾德;A·阿列克索夫;J·M·斯旺 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552;H01L25/065;H01L25/16;H01L27/20;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/08;H03H9/10;H03H9/54;H03H9/70 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 声波 谐振器 有源 电路 单片 管芯 | ||
实施例可以涉及射频(RF)前端模块(FEM)。RF FEM可以包括具有有源部分和与有源部分相邻的声波谐振器(AWR)部分的集成管芯。RF FEM还可以包括与管芯耦接的盖。盖可以在管芯的表面处至少部分地与AWR部分重叠。可以描述或要求保护其他实施例。
相关申请的交叉引用
本专利申请要求享有于2019年8月26日提交的题为“MONOLITHIC DIE WITHACOUSTIC WAVE RESONATORS AND ACTIVE CIRCUITRY”的美国非临时专利申请No.16/550,673的优先权,其通过引用的方式整体并入本文。
背景技术
射频(RF)前端模块(FEM)的形状因子减小和性能改进可能是期望的。具体而言,RFFEM可以用于各种移动设备或其他设备,其中设备的尺寸、RF FEM的尺寸或RF FEM的性能被认为是重要的设计考虑。
附图说明
图1示出了根据各种实施例的包括集成管芯的RF FEM的简化示例。
图2示出了根据各种实施例的包括集成管芯的RF FEM的替代简化示例。
图3示出了根据各种实施例的包括集成管芯的微电子封装的简化示例。
图4示出了根据各种实施例的包括集成管芯的微电子封装的替代简化示例。
图5示出了根据各种实施例的包括集成管芯的微电子封装的替代简化示例。
图6示出了根据各种实施例的用于制造包括集成管芯的RF组件的示例技术。
图7是根据各种实施例的可以包括集成管芯的晶圆和管芯的俯视图。
图8是根据各种实施例的可以包括具有集成管芯的RF FEM的集成电路(IC)设备组件的侧视截面图。
图9是根据各种实施例的可以包括具有集成管芯的RF FEM的示例电气设备的框图。
具体实施方式
在以下具体实施方式中,参考形成其一部分的附图,其中相同的附图标记始终表示相同的部分,并且在附图中通过说明的方式示出了其中可以实践本公开内容的主题的实施例。应当理解,在不脱离本公开内容的范围的情况下,可以利用其他实施例,并且可以进行结构或逻辑改变。因此,以下具体实施方式不应被理解为限制性的。
出于本公开内容的目的,短语“A或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开内容的目的,短语“A、B或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。
本说明书可以使用基于透视的描述,例如顶/底、进/出、上/下等。这样的描述仅用于帮助讨论,而不是旨在将本文描述的实施例的应用限制于任何特定的取向。
本说明书可以使用短语“在实施例中”,其可以指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外,如关于本公开内容的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。
在本文中可以使用术语“耦接”及其派生词。“耦接”可以表示以下的一个或多个。“耦接”可以表示两个或更多个元件直接物理或电接触。然而,“耦接”也可以表示两个或更多个元件彼此间接接触,但是仍然彼此协作或交互,并且可以表示一个或多个其他元件耦接或连接在被称为彼此耦接的元件之间。术语“直接耦接”可以表示两个或更多个元件直接接触。
在各种实施例中,短语“第二特征上形成/沉积/设置/等的第一特征”可以表示第一特征形成/沉积/设置/等在特征层上方,并且第一特征的至少一部分可以与第二特征的至少一部分直接接触(例如,直接物理或电接触)或间接接触(例如,在第一特征与第二特征之间具有一个或多个其他特征)。
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