[发明专利]具有声波谐振器和有源电路的单片管芯在审
| 申请号: | 202080054055.4 | 申请日: | 2020-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN114175241A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | T·卡姆嘎因;G·多吉阿米斯;F·艾德;A·阿列克索夫;J·M·斯旺 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552;H01L25/065;H01L25/16;H01L27/20;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/08;H03H9/10;H03H9/54;H03H9/70 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 声波 谐振器 有源 电路 单片 管芯 | ||
1.一种射频(RF)前端模块(FEM),包括:
集成管芯,其包括:
有源部分,其包括有源RF电路;以及
声波谐振器(AWR)部分,与所述有源RF电路相邻,其中,所述AWR部分包括AWR;以及
盖,与所述管芯耦接,其中,所述盖在所述管芯的表面处至少部分地与所述AWR部分重叠。
2.根据权利要求1所述的RF FEM,其中,所述有源部分包括与功率放大器、低噪声放大器、开关或逻辑电路相关的有源电路。
3.根据权利要求1所述的RF FEM,其中,所述有源部分包括晶体管。
4.根据权利要求1所述的RF FEM,其中,所述AWR与滤波器、部分滤波器、或多路复用器相关。
5.根据权利要求1所述的RF FEM,其中,所述盖还至少部分地与所述有源部分重叠。
6.根据权利要求1所述的RF FEM,其中,所述盖通过密封元件与所述管芯耦接,所述密封元件向所述盖与所述管芯之间的腔体提供气密密封,并且其中,所述AWR包括所述腔体中的谐振器。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的RF FEM,其中,所述盖包括与所述AWR通信地耦接的无源元件。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的RF FEM,其中,所述管芯包括用于向所述有源部分提供电磁(EM)屏蔽的多个过孔。
9.一种微电子封装,其包括:
用于射频(RF)前端模块(FEM)的管芯,其中,所述管芯包括:
有源部分,在所述管芯的衬底中,并且其中,所述有源部分包括有源RF电路;以及
声波谐振器(AWR)部分,与所述有源RF部分相邻,其中,所述AWR区域包括AWR;以及
散热器,与所述管芯耦接。
10.根据权利要求9所述的微电子封装,其中,所述散热器与所述管芯的所述有源部分耦接。
11.根据权利要求10所述的微电子封装,其中,所述散热器在所述AWR部分处与所述管芯物理地分离。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的微电子封装,其中,所述微电子封装还包括封装衬底,所述封装衬底与所述管芯耦接,使得所述管芯位于所述封装衬底与所述散热器之间。
13.根据权利要求12所述的微电子封装,其中,所述封装衬底包括与所述管芯通信地耦接的无源元件。
14.根据权利要求12所述的微电子封装,其中,所述封装衬底包括与所述有源RF电路热耦接的热元件。
15.根据权利要求14所述的微电子封装,其中,所述热元件与所述有源部分相邻,并且其中,所述热元件不与所述AWR部分重叠。
16.根据权利要求14所述的微电子封装,其中,所述热元件是盲过孔、堆叠过孔或金属块。
17.一种微电子封装,包括:
用于射频(RF)前端模块(FEM)的管芯,其中,所述管芯包括:
有源部分,其包括有源RF电路;以及
声波谐振器(AWR)部分,其中,所述AWR部分包括AWR;
封装衬底,与所述管芯的第一侧耦接;以及
无源衬底,与所述管芯的第二侧耦接,所述第二侧与所述管芯的所述第一侧相对。
18.根据权利要求17所述的微电子封装,其中,所述无源衬底包括电容器、电阻器或电感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080054055.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





