[发明专利]静电吸盘加热器及其制造方法

说明书

本发明涉及具有双极性结构的静电吸盘加热器，所述静电吸盘加热器包括：加热器主体部，所述加热器主体部具备根据半导体工艺模式而选择性地执行RF接地功能和静电吸盘功能中任一个的内部电极和外部电极；以及加热器支撑部，所述加热器支撑部加装于所述加热器主体部的下部，支撑所述加热器主体部。

技术领域

本发明涉及静电吸盘加热器及其制造方法，更具体地，涉及一种具有双极性(bipolar)结构的静电吸盘加热器及其制造方法。

背景技术

一般而言，半导体装置或显示装置以将包括介电质层和金属层的多个薄膜层依次层叠于玻璃基板、柔性基板或半导体晶片基板上后进行图案化的方式制造。这些薄膜层通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺或物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition，PVD)工艺而在基板上依次沉积。所述CVD工艺有低压化学气相沉积(LowPressure CVD，LPCVD)工艺、等离子体强化化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD，PECVD)工艺、有机金属化学气相沉积(Metal Organic CVD，MOCVD)工艺等。

这种CVD装置和PVD装置中配置有用于支撑玻璃基板、柔性基板、半导体晶片基板等并施加既定热的加热器。所述加热器也在支撑基板上形成的薄膜层的蚀刻工艺(etchingprocess)和光刻胶(photoresist)的烧成工艺等中用于基板加热。所述CVD装置和PVD装置中设置的加热器广泛使用陶瓷加热器(Ceramic Heater)，以响应对精确的温度控制、半导体元件布线精细化及半导体晶片基板的精密热处理的要求。

图1是示出根据现有技术的陶瓷加热器的构成的图。如图1所示，陶瓷加热器1可以用于在半导体制造工艺中支撑诸如晶片(wafer)等的基板，将所述基板加热到工艺温度，例如，执行CVD工艺或PVD工艺所需的温度。

陶瓷加热器1由具有圆形板状结构的陶瓷本体10和加装于所述陶瓷本体10下部的陶瓷支撑部20构成。其中，所述陶瓷本体10包括：接地电极11，所述接地电极11在生成等离子体时使陶瓷加热器1中充电的电流放电到地(ground)；发热体13，所述发热体13生成用于加热基板的热能。所述陶瓷支撑部20包括将接地电极11连接于地的接地棒21和将发热体13连接于外部电源(未示出)的发热体棒23。

为了使晶片能够稳定地加装，在陶瓷本体10的上部可以形成有与相应晶片尺寸相应的囊(POCKET)。可是，具有这种囊结构的陶瓷加热器在半导体薄膜工艺时，在工艺气体向晶片方向流动的情况下，通过在陶瓷本体10的上面与晶片边缘之间形成的空间30而使气流(GAS FLOW)发生涡流，会引起降低晶片边缘沉积均匀性(Deposition Uniformity)的问题。

发明内容

技术问题

本发明目的在于解决如前所述的问题及其他问题。另一目的在于提供一种可靠性得到提高的静电吸盘加热器及其制造方法。

另一目的在于提供一种具有双极性(bipolar)结构的静电吸盘加热器及其制造方法。

另一目的在于提供一种可以根据半导体工艺模式而适应性地选择内部电极和外部电极的功能的静电吸盘加热器及其制造方法。

技术内容

为了实现所述另一目的，根据本发明一个方面提供一种静电吸盘加热器，所述静电吸盘加热器包括：加热器主体部，所述加热器主体部具备根据半导体工艺模式而选择性地执行RF接地功能和静电吸盘功能中任一个的内部电极和外部电极；以及加热器支撑部，所述加热器支撑部加装于所述加热器主体部的下部，支撑所述加热器主体部。其中，所述内部电极可以埋设于加热器主体部的上部中央部分。

所述外部电极可以与所述内部电极在同一平面上形成。另外，所述外部电极可以从内部电极隔开既定距离配置。另外，所述外部电极可以以环绕内部电极的方式配置。