[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，其特征在于，具备：

绝缘基板；

第一导电图案，其配置在所述绝缘基板上；

多个功率半导体芯片，其配置在所述第一导电图案上；

架桥形状的第一布线，其将多个所述功率半导体芯片各自的栅极电极彼此直接连接；以及

架桥形状的第二布线，其将多个所述功率半导体芯片各自的源极电极彼此直接连接，

将所述第一布线沿着所述第二布线配置成与所述第二布线所成的角度在30度以内。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述功率半导体模块具有：

栅极控制端子，其被配置成与所述第一导电图案电绝缘；以及

源极感测控制端子，其被配置成与所述第一导电图案分离，

所述第一布线与所述栅极控制端子连接，

所述第二布线与所述源极感测控制端子连接。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，

在所述第一导电图案上，将多个所述功率半导体芯片按一定数量的芯片配置为多个芯片组，

各芯片组的所述第一布线与共用的栅极控制端子连接，

各芯片组的所述第二布线与共用的源极感测控制端子连接。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述功率半导体模块具备：

第二导电图案，其配置在所述绝缘基板上；

多个功率半导体芯片，其配置在所述第二导电图案上；

架桥形状的第三布线，其将所述第二导电图案上的多个功率半导体芯片各自的栅极电极彼此直接连接；以及

架桥形状的第四布线，其将所述第二导电图案上的多个功率半导体芯片各自的源极电极彼此直接连接，

将所述第三布线沿着所述第四布线配置成与所述第四布线所成的角度在30度以内。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，

在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间，与所述第二导电图案相邻地配置有第三导电图案，

存在流过所述第二导电图案和所述第三导电图案各自的导电图案的电流方向相差180°的部分。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述第二导电图案通过多个键合线与所述第一导电图案上的多个功率半导体芯片的源极电极连接，在所述第二导电图案与键合线的连接点和所述第二导电图案的供电点之间具有降低源极电流路径的电感波动的L字形状或I字形状的第一狭缝图案，

所述第三导电图案通过多个键合线与所述第二导电图案上的多个功率半导体芯片的源极电极连接，在所述第三导电图案与键合线的连接点和所述第三导电图案的供电点之间具有降低源极电流路径的电感波动的L字形状或I字形状的第二狭缝图案。

7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，

将所述第一狭缝图案和所述第二狭缝图案配置在点对称的位置。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述多个功率半导体芯片均具有电流开关功能和回流功能。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

多个所述功率半导体芯片分别具备内置电阻，该内置电阻在从栅极电极焊盘预测芯片内部的阻抗中具有预定的电阻值。

10.根据权利要求9所述的功率半导体模块，其特征在于，

多个所述功率半导体芯片分别具备多晶硅制的内置电阻。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，

多个所述功率半导体芯片是SiC功率半导体芯片。