[发明专利]光电子器件

说明书

提出一种光电子器件(100)，其具有：‑至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其在运行中发射第一波长范围(5)的电磁辐射；和‑吸收体(2)，其中吸收体(2)对于发射的第一波长范围(5)的电磁辐射主要是可透射的，并且‑吸收体(2)在用环境光(6)的照射下吸收环境光(6)的可见光的电磁谱的总辐射强度的至少70％。

技术领域

提出一种光电子器件。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种光电子器件，其可实现更好的对比度感知。

光电子器件可以具有至少一个半导体芯片，其发出在特定的波长范围内的电磁辐射。例如，光电子器件是半导体激光器件或发光二极管。

根据至少一个实施方式，光电子器件包括至少一个发射辐射的半导体芯片，其在运行中发射第一波长范围的电磁辐射。发射辐射的半导体芯片，例如发光二极管芯片和/或激光二极管芯片，具有外延生长的半导体层序列，其具有有源区，所述有源区设立用于产生电磁辐射。发射辐射的半导体芯片可以在运行中例如发射出自UV辐射、可见光的波长范围和/或红外范围中的电磁辐射。至少两个发射辐射的半导体芯片可以并排地引入到光电子器件中，所述半导体芯片发射不同波长范围的电磁辐射。

根据至少一个实施方式，光电子器件具有吸收体。吸收体例如构成用于，一方面使特定的、可预设的波长范围的电磁辐射透射并且另一方面吸收另一特定的、可预设的波长范围的电磁辐射。吸收体例如构成为层或在层中构成，所述层部分地包围和/或覆盖半导体芯片。例如，多个吸收体也可以引入到光电子器件中。

根据至少一个实施方式，吸收体对于发射的第一波长的电磁辐射是主要可透射的。主要可透射表示，半导体芯片的发射的第一波长范围的电磁辐射的大部分不被吸收，而是被吸收体透射。

根据至少一个实施方式，吸收体在用环境光照射下吸收环境光的可见光的电磁谱的总辐射强度的至少70％。优选地，吸收体在用环境光照射下吸收环境光的可见光的电磁谱的总辐射强度的至少80％。环境光由多种颜色的光的电磁谱产生，这些颜色混合成白光。环境光具有连续的或近似连续的谱。因此，环境光尤其不由两种或三种颜色组成。在此例如将太阳光和/或白炽灯的光理解为环境光。环境光在此优选是太阳光。吸收体在用环境光照射下尤其显现为黑色。

吸收体设立用于，将由环境光射中的光的未由吸收体透射的部分大部分地吸收。这造成，环境光的一部分由吸收体吸收并且例如在由吸收体覆盖的镜上不反射。由此实现黑色印象，所述黑色印象可实现更好的对比度感知。

由此，有利地防止，环境光的可见光的波长范围的电磁辐射由光电子器件的起反射作用的组件反射，这会造成减少的对比度。光电子器件的起反射作用的组件由吸收体有针对性地遮盖进而部分地防止环境光的可见光的波长范围的电磁辐射的反射。

根据至少一个实施方式，光电子器件包括发射辐射的半导体芯片，其在运行中发射第一波长范围的电磁辐射，并且包括吸收体，其中吸收体对于发射的第一波长范围的电磁辐射是主要可透射的，并且吸收体在用环境光照射下吸收环境光的可见光的电磁谱的总辐射强度的至少70％。

当前的光电子器件的一个构思是，将吸收体引入到光电子器件中，以便有利地抑制射到光电子器件上的环境光的反射。由此实现改进的对比度。此外，半导体芯片的发射的第一波长范围的电磁辐射由吸收体主要透射。所述辐射于是例如可以反射。这提高器件的效率。

根据至少一个实施方式，吸收体吸收半导体芯片的发射的第一波长范围的辐射的最多50％。在运行中，半导体芯片的发射的第一波长范围的电磁辐射的一部分例如在光电子器件的辐射出射侧上朝半导体芯片的方向向回反射。有利地，半导体芯片的第一波长范围的电磁辐射随后被吸收体仅吸收最多50％并且未被吸收的剩余部分可以反射离开器件。

根据至少一个实施方式，吸收体吸收半导体芯片的发射的第一波长范围的电磁辐射的最多25％。由于半导体芯片的第一波长范围的电磁辐射的良好的可透射性，降低了相对于吸收体的亮度损失，所述吸收体与波长无关地吸收光。