[发明专利]光电子器件

权利要求书

1.一种光电子器件(100)，具有：

-至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其在运行中发射第一波长范围(5)的电磁辐射；和

-吸收体(2)，其中

-所述吸收体(2)对于发射的所述第一波长范围(5)的电磁辐射是主要可透射的，并且

-所述吸收体(2)在用环境光(6)照射下吸收所述环境光(6)的可见光的电磁谱的总辐射强度的至少70％，

-所述吸收体(2)具有吸收材料(3)和基体材料，

-所述吸收材料(3)具有由卟啉衍生物构成的配体，并且

-所述卟啉衍生物(12)具有如下通式：

其中R彼此独立地选自如下组：取代的和未取代的芳基取代基、取代的和未取代的烷基取代基、取代的和未取代的烯基取代基、取代的和未取代的环烷基取代基、取代的和未取代的杂环烷基取代基、取代的和未取代的杂芳基取代基，氢及其组合或其中

在两个相邻的-CR₂-CR₂-之间，C原子是不饱和的。

2.根据上一项权利要求所述的光电子器件(100)，

其中所述吸收体(2)吸收所述半导体芯片(1)的发射的所述第一波长范围(5)的电磁辐射的最多50％。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述吸收体(2)吸收所述半导体芯片(1)的发射的所述第一波长范围(5)的电磁辐射的最多25％。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述光电子器件(100)具有三个半导体芯片(1)，所述半导体芯片在运行中发射在所述第一波长范围(5)内、在第二波长范围(13)内和在第三波长范围内(14)的电磁辐射，其中所述吸收体(2)对于在所述第一波长范围(5)内、在所述第二波长范围(13)内和在所述第三波长范围内的电磁辐射是主要可透射的。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述吸收体(2)具有至少两种起吸收作用的材料(3)和所述基体材料。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述起吸收作用的材料(3)是有机半导体或包括有机半导体。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述起吸收作用的材料(3)是Zn络合物或包括Zn络合物。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述起吸收作用的器件(100)具有起反射作用的导线框(7)。

9.根据上一项权利要求所述的光电子器件(100)，

-其中所述半导体芯片(1)嵌入到囊封部(9)中，并且

-所述半导体芯片(1)和所述吸收体(2)直接并排施加在所述导线框(7)上，使得所述吸收体(2)设置在所述囊封部(9)和所述导线框(7)之间。

10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述吸收体(2)引入到所述囊封部(9)中。

11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中包覆材料(10)包围所述囊封部(9)和所述半导体芯片(1)，并且

所述吸收体(2)施加在所述囊封部(9)上，使得所述吸收体(2)设置在所述囊封部(9)和所述包覆材料(10)之间。

12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件(100)，

其中所述吸收体(2)施加在所述囊封部(9)上。