[发明专利]空间控制等离子体在审

专利信息
申请号: 202080048162.6 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN114041202A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 伊夫·洛德韦克·玛丽亚·克瑞顿;安徳里斯·莱夫尔斯 申请(专利权)人: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H05H1/24
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 尚玲;李维凤
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 空间 控制 等离子体
【说明书】:

一种等离子体输送设备,包括:设置在输送设备的外表面中的等离子体源,外表面被布置成面向待处理的基板;传送机构,被配置为相对于彼此传送基板和外表面;等离子体源包括气体入口,用于向等离子体生成空间提供气流;等离子体生成空间,其流体耦合到布置在外表面中的至少一个等离子体输送口;其中,等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定;包括介电层的工作电极;至少一个等离子体排气口,至少一个等离子体排气口设置在外表面中并且远离等离子体输送口,以经由所述等离子体排气口排出沿外表面流动的等离子体,其中,所述至少一个等离子体输送口和至少一个等离子体排气口被布置成提供沿相反方向流动的至少两个连续的等离子体流,每个等离子体流由至少两个工作电极中的相应一个工作电极产生;以及开关电路,用于向至少两个工作电极可切换地提供电压,其中开关电路与传送机构协同操作。

技术领域

发明涉及等离子体输送设备,特别是包括如下组件的等离子体输送设备:等离子体源,其设置在输送设备的外表面中,该外表面被布置成面向待处理的基板;传送机构,被配置为相对于彼此传送基板和外表面;该等离子体源包括:气体入口,用于向等离子体生成空间提供气流;等离子体生成空间,其流体耦合到布置在外表面中的至少一个等离子体输送口,其中,等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定;包括介电层的工作电极;以及至少一个等离子体排气口,其设置在外表面上并且远离等离子体输送口,以经由等离子体排气口排出沿着外表面流动的等离子体。从WO2015199539可知这种设备。

背景技术

表面的等离子体处理具有许多有用的应用,包括表面的放电、表面能量的改变改善材料作为涂料胶和其他涂层的润湿性或附着力、表面上细菌细胞的清洁和/或失活以及作为用于诸如半导体工业中使用的表面处理的较大组件的一部分,例如化学气相沉积、等离子体蚀刻、原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)设备。使用来自入口的合适的气流,在这些空间中产生的等离子体可以被输送到孔,等离子体从该孔被输送到待处理的基板的表面。

在各种空间ALD(SALD)应用中,当箔或刚性板基板移动时,需要在箔或刚性板基板上进行局部或选择性薄膜沉积。例如,期望的沉积图案可以是一系列大致为矩形的沉积区域,而不在这些区域之间沉积。例如,当用介电层覆盖诸如光伏电池或电池电极的电子设备时,可能希望保持部分未被覆盖以进行适当的电连接。另一示例可以是应当彼此隔离的沉积导电膜区域。另一示例可以是在原子层沉积工艺中要用薄层覆盖的一系列相邻片材。这可能需要较长的吹扫时间以去除片材之间的前驱气体;并且可能希望停止在相邻片材之间的区域中提供共反应物质以克服很长的吹扫时间,从而实现更快的沉积。

发明内容

除了别的以外,目的是提供能够提供空间控制的选择性沉积的等离子体源和/或表面处理设备。为此,提供了根据权利要求1所述的等离子体输送设备。等离子体输送设备包括:设置在输送设备的外表面中的等离子体源,外表面被布置成面向待处理的基板;传送机构,被配置为相对于彼此传送基板和外表面,并且等离子体源包括气体入口,用于向等离子体生成空间提供气流。

等离子体生成空间流体耦合到布置在所述外表面中的至少一个等离子体输送口,其中,等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定。工作电极包括介电层,以及其中,至少一个等离子体排气口设置在外表面中并且远离等离子体输送口,以经由所述等离子体排气口排放沿着所述外表面流动的等离子体。至少一个等离子体输送口和至少一个等离子体排气口被布置成提供沿相反方向流动的至少两个连续的等离子体流,每个等离子体流由至少两个工作电极中的相应一个工作电极生成,以及开关电路,其向至少两个工作电极可切换地提供电压,其中开关电路与传送机构协同操作。

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