[发明专利]提高电阻温度检测器的稳定性在审
| 申请号: | 202080047865.7 | 申请日: | 2020-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN114026400A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 尼古拉·S·切拉罗夫 | 申请(专利权)人: | 森萨塔电子技术有限公司 |
| 主分类号: | G01K7/16 | 分类号: | G01K7/16;G01K1/08 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 张敏 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提高 电阻 温度 检测器 稳定性 | ||
1.一种用于提高电阻温度检测器(RTD)的稳定性的装置,所述装置包括:
下拉电阻器,所述下拉电阻器的第一端用于耦合至地;和
RTD,所述RTD包括外壳,所述外壳围绕沉积在衬底上的电阻曲折结构,所述电阻曲折结构具有耦合到正电源的第一端和耦合到所述下拉电阻器的第二端的第二端。
2.如权利要求1所述的装置,还包括:所述正电源和所述地,所述正电源耦合到所述电阻曲折结构的第一端,所述地耦合到所述外壳和所述下拉电阻器的第一端。
3.如权利要求2所述的装置,其中在所述正电源向所述电阻曲折结构的第一端供电的操作期间,所述电阻曲折结构的第二端具有比所述RTD的外壳更高的电压电势。
4.如权利要求2所述的装置,其中在所述正电源向所述电阻曲折结构的第一端供电的操作期间,所述电阻曲折结构的第一端具有比所述RTD的外壳更高的电压电势。
5.如权利要求2所述的装置,还包括:测量电路,所述测量电路耦合到所述电阻曲折结构的第一端和所述电阻曲折结构第二端。
6.如权利要求5所述的装置,其中,所述测量电路被配置为确定所述电阻曲折结构的第一端和第二端之间的电压差。
7.如权利要求6所述的装置,还包括:控制器,所述控制器耦合到所述测量电路,其中所述控制器被配置为基于所述电阻曲折结构的第一端和第二端之间的所述电压差来确定正由所述RTD测量的温度。
8.如权利要求1所述的装置,还包括:上拉电阻器,所述上拉电阻器具有第一端和第二端,所述上拉电阻器的第一端用于耦合到所述正电源,所述上拉电阻器的第二端耦合到所述电阻曲折结构的第一端,使得所述电阻曲折结构的第一端被配置用于通过所述上拉电阻器耦合到所述正电源。
9.如权利要求8所述的装置,还包括:所述正电源和所述地,所述正电源耦合到所述上拉电阻器的第一端,所述地耦合到所述外壳和所述下拉电阻器的第一端。
10.如权利要求9所述的装置,其中在所述正电源向所述上拉电阻器的第一端供电的操作期间,所述电阻曲折结构的第一端和第二端都具有比所述RTD的外壳更高的电压电势。
11.如权利要求1所述的装置,其中所述电阻曲折结构形成电阻元件,所述电阻元件的电阻基于温度而变化。
12.一种使用下拉电阻器提高电阻温度检测器(RTD)的稳定性的方法,所述RTD包括外壳,所述外壳围绕具有第一端和第二端的电阻曲折结构,所述下拉电阻器具有第一端和第二端,所述电阻曲折结构的第二端耦合到所述下拉电阻器的第一端,所述方法包括:
将所述RTD的外壳和所述下拉电阻器的第二端耦合到地;和
向所述电阻曲折结构的第一端提供正电。
13.如权利要求12所述的方法,还包括:将测量电路耦合到所述RTD。
14.如权利要求13所述的方法,还包括:
通过所述测量电路确定电压差;和
基于所述电压差确定正由所述RTD测量的温度。
15.如权利要求12所述的方法,其中所述电阻曲折结构的第二端具有比所述RTD的外壳更高的电压电势。
16.如权利要求12所述的方法,其中所述电阻曲折结构的第一端具有比所述RTD的外壳更高的电压电势。
17.如权利要求12所述的方法,还包括:在正电源和所述电阻曲折结构的第一端之间插入上拉电阻器,使得所述上拉电阻器的第一端耦合到所述正电源,并且所述上拉电阻器的第二端耦合到所述电阻曲折结构的第一端。
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