[发明专利]陶瓷基板制造方法在审

专利信息
申请号: 202080046646.7 申请日: 2020-05-14
公开(公告)号: CN114026967A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 禹敬焕;李志炯 申请(专利权)人: 阿莫善斯有限公司
主分类号: H05K1/03 分类号: H05K1/03;H05K3/06;H05K3/18;H05K3/46
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 赵桂芳;姚开丽
地址: 韩国忠*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种陶瓷基板制造方法,所述方法包括:

通过刻蚀铜片制备金属基板;

通过刻蚀陶瓷基板制备单元陶瓷基板;

组装所述金属基板和所述单元陶瓷基板;

通过将所述金属基板和所述单元陶瓷基板结合来形成堆叠体;

在堆叠体的表面上局部印刷金属糊状物;以及

烧结所述金属糊状物。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中,所述组装包括使用钎焊夹具组装所述金属基板和所述单元陶瓷基板以使所述金属基板设置在所述单元陶瓷基板的两个表面上。

3.根据权利要求1所述的方法,

其中,所述金属糊状物是Ag糊状物。

4.一种陶瓷基板制造方法,所述方法包括:

通过在铜片的一部分上镀覆金属来形成镀覆基板;

通过刻蚀所述镀覆基板制备金属基板;

通过刻蚀陶瓷基板制备单元陶瓷基板;以及

组装所述金属基板和所述单元陶瓷基板。

5.根据权利要求4所述的方法,

其中,形成所述镀覆基板包括通过在所述铜片上局部镀覆Ni和Ag来形成金属镀层。

6.根据权利要求4所述的方法,

其中,所述组装包括使用钎焊夹具组装所述金属基板和所述单元陶瓷基板以得所述金属基板设置在所述单元陶瓷基板的两个表面上。

7.一种陶瓷基板制造方法,所述方法包括:

在陶瓷基板之间设置间隔件,以及

将所述间隔件与所述陶瓷基板钎焊并结合,

其中,所述设置包括设置导热率和热膨胀系数各自等于或大于参考值的间隔件。

8.根据权利要求7所述的方法,

其中,间隔件的导热率的参考值为240W/m.K,并且间隔件的热膨胀系数的参考值为6.8ppm/m.K。

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