[发明专利]具有快速数据存取的错误校正存储器装置

说明书

描述针对支持具有快速数据存取的错误校正存储器装置的存储器装置的方法、系统和装置。举例来说，在读取操作期间，存储器装置可被配置成与执行错误校正操作并行地输出由所述读取操作指示的数据。如果所述存储器装置检测到错误，则所述存储器装置可向主机装置指示所述错误，且在某些情况下将经校正数据输出到所述主机装置。在写入操作期间，所述存储器装置可存储与待存储于所述存储器装置处的数据相关联的错误检测或校正信息。所述存储器装置可在某些情况下存储由所述主机装置生成的错误检测或校正信息。

交叉参考

本专利申请要求沙佛(SCHAEFER)等在2020年4月24日提交的标题为“具有快速数据存取的错误校正存储器装置(ERROR CORRECTION MEMORY DEVICE WITH FAST DATAACCESS)”的第16/858,281号美国专利申请以及沙佛等在2019年5月23日提交的标题为“具有快速数据存取的错误校正存储器装置(ERROR CORRECTION MEMORY DEVICE WITH FASTDATA ACCESS)”的第62/851,800号美国临时专利申请的权益，这两个文献中的每一个转让给本受让人，且其中的每一个以引用的方式明确地并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，且更确切地说涉及一种具有快速数据存取的错误校正存储器装置。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可以存储两个以上状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入所述状态或对所述状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM等非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM等易失性存储器装置在从外部电源断开时可能丢失其所存储状态。FeRAM可能够实现类似于易失性存储器的密度，但可具有非易失性性质，这是归因于使用铁电电容器作为存储装置。

在一些情况下，存储在存储器装置中的数据可能被损坏。一些存储器装置可以被配置成在内部校正此数据损坏或错误(例如，数据错误)，从而恢复损坏之前存储的数据。此些存储器装置可被称为错误校正码(ECC)存储器或具有裸片上或内联ECC的存储器。可能需要用于在ECC存储器装置内使用ECC功能性的改进的技术。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据完整性、降低功率消耗或降低制造成本，以及其它度量。

附图说明

图1示出根据本文所公开的实例支持具有快速数据存取的错误校正存储器装置的系统的实例。

图2示出根据本文所公开的实例支持具有快速数据存取的错误校正存储器装置的存储器裸片的实例。

图3到5示出支持如本文所公开的具有快速数据存取的错误校正存储器装置的系统的实例。

图6和7示出支持如本文所公开的具有快速数据存取的错误校正存储器装置的过程流程的实例。

图8展示如本文所公开的具有快速数据存取的错误校正存储器装置的框图。

图9到11展示流程图，其示出支持如本文所公开的具有快速数据存取的错误校正存储器装置的一或多种方法。

具体实施方式