[发明专利]用于制造器件及结构的选择性方法

权利要求书

1.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

暴露具有一个或多个鳍片的所述基板进入所述处理腔室的处理空间中；

引导前驱物气体进入所述处理腔室中；

在所述一个或多个鳍片的每个鳍片的顶表面上生长外延层；以及

蚀刻所述一个或多个鳍片的每个鳍片的侧壁表面，其中生长所述外延层与蚀刻所述侧壁表面同时发生。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述前驱物气体包括硅烷(SiH₄)与四氯化锗(GeCl₄)。

3.如权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括在所述处理腔室中的掺杂物气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中将所述处理腔室加热至约350℃与约700℃之间的温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中将所述处理腔室控制在约5托与约10托之间的压力下。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述外延层在约与约之间的生长速率下生长。

7.如权利要求1所述的方法，其中具有所述一个或多个鳍片的所述基板包括鳍式场效晶体管(FinFET)器件。

8.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

暴露具有带有垂直侧壁的凹陷结构的所述基板进入所述处理腔室的处理空间中；

引导前驱物气体进入所述处理腔室中；

在所述垂直侧壁的每个垂直侧壁之间的所述基板的水平部分上生长外延层；以及

蚀刻所述垂直侧壁的每个垂直侧壁的表面，其中生长所述外延层与蚀刻所述垂直侧壁的表面同时发生。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述前驱物气体包括硅烷(SiH₄)与四氯化锗(GeCl₄)。

10.如权利要求9所述的方法，所述方法进一步包括在所述处理腔室中的掺杂物气体。

11.如权利要求8所述的方法，其中将所述处理腔室加热至约350℃与约700℃之间的温度。

12.如权利要求8所述的方法，其中将所述处理腔室控制在约5托与约10托之间的压力下。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述外延层在约与约之间的生长速率下生长。

14.如权利要求8所述的方法，其中所述垂直侧壁包括两个垂直侧壁。

15.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括以下步骤：

暴露具有一个或多个鳍片的所述基板进入所述处理腔室的处理空间中，其中所述一个或多个鳍片的每个鳍片具有{100}平面与{110}平面；

引导前驱物气体进入所述处理腔室中；

在所述一个或多个鳍片的每个鳍片的所述{100}平面上生长外延层；以及

蚀刻所述一个或多个鳍片的每个鳍片的所述{110}平面，其中生长所述外延层与蚀刻所述侧壁表面同时发生。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述前驱物气体包括硅烷(SiH₄)与四氯化锗(GeCl₄)。

17.如权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括在所述处理腔室中的掺杂物气体。

18.如权利要求15所述的方法，其中将所述处理腔室加热至约350℃与约700℃之间的温度。