[发明专利]具有集成等离子体处理的束线架构

权利要求书

1.一种束线架构，包括：

晶片搬送腔室；

等离子体腔室，耦合到所述晶片搬送腔室且容纳等离子体源，以用于对工件执行离子植入前工艺及离子植入后工艺中的至少一者；以及

工艺腔室，耦合到所述晶片搬送腔室且适于对工件执行离子植入工艺。

2.根据权利要求1所述的束线架构，还包括阀门，所述阀门设置在所述晶片搬送腔室与所述等离子体腔室之间，以用于将所述等离子体腔室与所述晶片搬送腔室及所述工艺腔室密封隔绝。

3.根据权利要求1所述的束线架构，还包括真空机器人，所述真空机器人设置在所述晶片搬送腔室内以用于在所述等离子体腔室与所述工艺腔室之间移动工件。

4.根据权利要求1所述的束线架构，其中所述等离子体腔室适于执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、等离子体退火工艺、预加热工艺、及刻蚀工艺中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的束线架构，其中所述等离子体腔室内的压力与所述工艺腔室内的压力能够彼此独立地改变。

6.根据权利要求1所述的束线架构，还包括设置在所述晶片搬送腔室内的计量组件。

7.根据权利要求1所述的束线架构，还包括设置在所述晶片搬送腔室与所述等离子体腔室之间的传送腔室，所述传送腔室能够相对于所述晶片搬送腔室及所述等离子体腔室进行密封。

8.根据权利要求7所述的束线架构，还包括传送机器人，所述传送机器人设置在所述传送腔室内以用于在所述晶片搬送腔室与所述等离子体腔室之间移动工件。

9.根据权利要求7所述的束线架构，还包括设置在所述传送腔室内的计量组件。

10.根据权利要求1所述的束线架构，还包括真空加载锁，所述真空加载锁耦合到所述晶片搬送腔室以利于在大气环境与所述晶片搬送腔室之间传送工件。

11.根据权利要求1所述的束线架构，还包括设置在所述晶片搬送腔室内的对齐站。

12.一种束线架构，包括：

晶片搬送腔室；

真空加载锁，耦合到所述晶片搬送腔室，以利于在大气环境与所述晶片搬送腔室之间传送工件；

等离子体腔室，耦合到所述晶片搬送腔室且容纳等离子体源，以用于对工件执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、等离子体退火工艺、预加热工艺、及刻蚀工艺中的至少一者；

工艺腔室，耦合到所述晶片搬送腔室且适于对工件执行离子植入工艺；以及

阀门，设置在所述晶片搬送腔室与所述等离子体腔室之间，以用于将所述等离子体腔室与所述晶片搬送腔室及所述工艺腔室密封隔绝，其中所述等离子体腔室内的压力与所述工艺腔室内的压力能够彼此独立地改变。

13.一种操作束线架构的方法，所述束线架构包括晶片搬送腔室、耦合到所述晶片搬送腔室的等离子体腔室及耦合到所述晶片搬送腔室的工艺腔室，所述方法包括：

将工件从所述晶片搬送腔室移动到所述等离子体腔室中；

对所述工件执行离子植入前工艺及离子植入后工艺中的至少一者；以及

将所述工件从所述晶片搬送腔室移动到所述工艺腔室中且对所述工件执行离子植入工艺。

14.根据权利要求13所述的方法，其中对所述工件执行离子植入前工艺及离子植入后工艺中的至少一者包括：在对所述工件执行离子植入工艺之前，对所述工件执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、及预加热工艺中的至少一者。