[发明专利]用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案在审

专利信息
申请号: 202080040885.1 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN113906350A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 赛捷·托克·加勒特·多莎;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卢多维克·戈代;陈建安;平克什·罗希特·沙阿 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 平板 光学 器件 制造 光刻 负载 方案
【权利要求书】:

1.一种装置,包含:

至少一个光学装置,具有纳米结构的一个或多个阵列,所述纳米结构设置在基板的表面上或与所述基板的所述表面整合,所述纳米结构中的每一者具有:

通过所述纳米结构的宽度限定的装置临界尺寸,所述装置临界尺寸小于1000纳米(nm);和

限定为在相邻纳米结构之间的距离的装置间隙;和

辅助区,通过中间区来限定,所述辅助区环绕各光学装置的周边而设置,所述辅助区具有辅助结构的一个或多个阵列,所述辅助结构设置在所述基板的所述表面上或与所述基板的所述表面整合;所述辅助结构中的每一者具有:

通过所述辅助结构的所述宽度限定的辅助临界尺寸;和

限定为在相邻辅助结构之间的距离的辅助间隙。

2.如权利要求1所述的装置,其中各光学装置与所述辅助区的部分具有所述装置间隙与所述辅助间隙,所述装置间隙与所述辅助间隙是彼此的辅助临界尺寸。

3.如权利要求2所述的装置,其中各光学装置与所述辅助区的所述部分具有小于所述辅助临界尺寸的所述装置临界尺寸。

4.如权利要求2所述的装置,其中各光学装置与所述辅助区的所述部分具有大体上等于所述辅助临界尺寸的所述装置临界尺寸。

5.如权利要求1所述的装置,其中至少所述纳米结构或所述辅助结构包含以下项中的一者或多者:含二氧化钛(TiO2)材料、含氧化锌(ZnO)材料、含二氧化锡(SnO2)材料、含铝掺杂氧化锌(AZO)的材料、含氟掺杂氧化锡(FTO)的材料、含镉锡酸盐(氧化锡)(CTO)材料、含锌锡酸盐(氧化锡)(SnZnO3)材料、含氮化硅(Si3N4)材料、含氧化铌(Nb2O5)材料、或含硅材料。

6.如权利要求1所述的装置,其中所述纳米结构与所述辅助结构由大体上相同的材料构成。

7.一种装置,包含:

至少一个光学装置,具有纳米结构一个或多个阵列,所述纳米结构设置在基板的表面上或与所述基板的所述表面整合,所述纳米结构中的每一者具有:

通过所述纳米结构的宽度限定的装置临界尺寸,所述装置临界尺寸小于1000纳米(nm);和

限定为在相邻纳米结构之间的距离的装置间隙;和

中间区,环绕各光学装置,所述中间区暴露对应于在所述基板的辅助区与各光学装置之间的暴露距离的所述基板的所述表面,所述辅助区具有暗场掩模,所述辅助区设置在所述基板的所述表面上或与所述基板的所述表面整合。

8.如权利要求7所述的装置,其中所述暗场掩模是设置在辅助结构上方的光刻胶或硬模中的至少一者,所述辅助结构设置在所述基板的所述表面上。

9.如权利要求8所述的装置,其中所述硬模包括以下项中的至少一者:含铬(Cr)材料、含银(Ag)材料、含氮化硅(Si3N4)材料、含二氧化硅(SiO2)材料、含氮化钛(TiN)材料、或含碳(C)材料。

10.如权利要求8所述的装置,其中所述纳米结构与所述辅助结构上由大体上相同的材料构成。

11.如权利要求7所述的装置,其中所述基板的所述辅助区与各光学装置之间的所述暴露距离是固定的。

12.如权利要求7所述的装置,其中所述基板的所述辅助区与各光学装置之间的所述暴露距离是变化的。

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