[发明专利]用于优化膜特性的磁性填料的取向在审

专利信息
申请号: 202080040789.7 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN113906528A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 迈克尔·S·格拉夫;德里克·J·德恩;保罗·T·海因斯;查尔斯·L·布鲁松;巴拉特·R·阿查里雅;罗纳德·D·耶西;威廉·J·科佩基;詹尼弗·J·索科尔;谢尔盖·A·马努伊洛夫 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01F1/26 分类号: H01F1/26;H01F1/28;H01F38/14;H01F41/16;H05K9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李博
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 优化 特性 磁性 填料 取向
【说明书】:

公开了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:对置的第一主表面和第二主表面;以及多个粒子,该多个粒子分散在该第一主表面和该第二主表面之间,每个粒子具有磁导率、沿该粒子的厚度方向的厚度H和沿该粒子的正交于该厚度方向的长度方向的最长尺寸L,L/H大于或等于2,这些粒子限定这些粒子之间的多个空隙,至少60%的这些粒子的这些长度方向在与相同的取向方向相差5.5度内取向。

发明内容

在本说明书的一些方面,提供了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:对置的第一主表面和第二主表面;以及多个粒子,该多个粒子分散在该第一主表面和该第二主表面之间,每个粒子具有磁导率、沿该粒子的厚度方向的厚度H和沿该粒子的正交于该厚度方向的长度方向的最长尺寸L,L/H大于或等于2,这些粒子限定这些粒子之间的多个空隙,至少60%的这些粒子的这些长度方向在与相同的取向方向相差5.5度内取向。

在本说明书的一些方面,提供了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:树脂,该树脂具有大于约104g/mol的数均分子量;以及多个各向异性形状的粒子,该多个各向异性形状的粒子以大于约50%或55%或60%或65%的体积负载分散在该树脂中,在约1MHz的频率下,该膜具有:大于约6000高斯的磁饱和度;以及分别沿该膜的厚度方向和平面内方向的相对磁导率的实部μ′1和μ′2,μ′1≤5并且μ′2≥150。

在本说明书的一些方面,提供了一种电子设备,该电子设备包括:板,该板被配置为基本上衰减在第一频带中的电磁波中包含的能量;接收器天线,该接收器天线设置在该板上,以用于在该第一频带中对设置在该设备中的电池进行无线充电;和磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜设置在该板和该接收器天线之间。该磁性屏蔽膜可包括以大于约50%的体积负载分散在树脂中的多个各向异性形状的粒子,这些粒子基本上沿相同的方向取向并且限定这些粒子之间的多个空隙,使得当该设备被放置成邻近将该第一频带中的功率Ptx发射到该接收器天线的发射器天线并且该接收器天线从该发射器天线接收功率Prx时,在Prx的增加导致Prx/Ptx初始减少至少1%之后,当Prx进一步增加成使得Prx增加至少两倍时,Prx/Ptx减少小于约5%。

在本说明书的一些方面,提供了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:树脂;以及多个各向异性形状的粒子,该多个各向异性形状的粒子以大于约50%的体积负载分散在该树脂中,该树脂包括使这些粒子互连的多个纤维状的大致平行的聚合物元件,使得在约1MHz的频率下,该磁性屏蔽膜沿该磁性屏蔽膜的平面内方向的相对磁导率的实部大于量(420.0-0.04M),其中M为以高斯为单位的该磁性屏蔽膜的磁饱和度。

在本说明书的一些方面,提供了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:树脂;以及多个各向异性形状的粒子,该多个各向异性形状的粒子以大于约50%的体积负载分散在该树脂中,该树脂包括使这些粒子互连的多个纤维状的大致平行的聚合物元件,使得在约1MHz的频率下,该磁性屏蔽膜沿该磁性屏蔽膜的平面内方向的相对磁导率的实部大于约130,并且该磁性屏蔽膜的磁饱和度大于约6,000高斯。

在本说明书的一些方面,提供了一种磁性屏蔽膜,该磁性屏蔽膜包括:聚合物材料;以及多个粒子,该多个粒子分散在该聚合物材料中,这些粒子具有磁导率,该聚合物材料包括大致沿该磁性屏蔽膜的厚度方向取向并且使该多个粒子互连的多个基本上平行的纤维状的元件。

在本说明书的一些方面,提供了一种制备磁性屏蔽膜的方法,该方法包括以下步骤:提供具有大于约104g/mol的数均分子量的聚合物、能够与该聚合物混溶的稀释剂和具有磁导率的多个各向异性形状的粒子;混合该聚合物、该稀释剂和该多个各向异性形状的粒子以形成能混溶的溶液;形成该能混溶的溶液的层;将磁场施加到该层以使这些粒子基本上沿相同的取向方向取向;在将该磁场施加到该层并且这些粒子基本上沿该取向方向取向时,诱导该聚合物与该稀释剂相分离;以及移除该稀释剂的至少一部分以形成磁性屏蔽膜,其中至少60%的这些粒子在与该取向方向相差5度内取向。

附图说明

图1为现有技术的膜形成和致密化过程的工艺流程图;

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