[发明专利]用于优化膜特性的磁性填料的取向

权利要求书

1.一种磁性屏蔽膜，所述磁性屏蔽膜包括：对置的第一主表面和第二主表面；以及多个粒子，所述多个粒子分散在所述第一主表面和所述第二主表面之间，每个粒子具有磁导率、沿所述粒子的厚度方向的厚度H和沿所述粒子的正交于所述厚度方向的长度方向的最长尺寸L，L/H大于或等于2，所述粒子限定所述粒子之间的多个空隙，至少60％的所述粒子的所述长度方向在与相同的取向方向相差5.5度内取向。

2.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，至少60％的所述粒子的所述长度方向在与所述相同的取向方向相差5度内取向。

3.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，至少60％的所述粒子的所述长度方向在与所述相同的取向方向相差4.5度内取向。

4.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，至少60％的所述粒子的所述长度方向在与所述相同的取向方向相差4度内取向。

5.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述多个空隙中的至少一些空隙是互连的。

6.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，使得在所述磁性屏蔽膜在基本上正交于所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一者的垂直方向上的横截面中，所述磁性屏蔽膜包括多个成对的垂直相邻的粒子，其中多个基本上平行的细长聚合物元件连接所述成对的垂直相邻的粒子中的每对垂直相邻的粒子中的所述粒子。

7.根据权利要求6所述的磁性屏蔽膜，其中，连接所述成对的垂直相邻的粒子中的每对垂直相邻的粒子中的所述粒子的所述基本上平行的细长聚合物元件基本上沿所述垂直方向取向。

8.根据权利要求6所述的磁性屏蔽膜，其中，所述细长聚合物元件包含聚乙烯。

9.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述取向方向基本上平行于所述第一主表面和所述第二主表面。

10.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子是棒状的。

11.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子是盘状的。

12.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子包含铁、硅、铝、铬、镍、铜、钴和钼中的一者或多者。

13.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子包括在所述粒子的最外表面上的磁性涂层。

14.根据权利要求13所述的磁性屏蔽膜，其中，未涂覆的粒子不具有磁导率。

15.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，所述磁性屏蔽膜具有：分别沿所述膜的厚度方向和平面内方向的相对磁导率的实部μ′1和μ′2，在约1MHz的频率下，μ′2/μ′1≥100。

16.根据权利要求15所述的磁性屏蔽膜，其中，在约1MHz下，μ′1≤5。

17.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子具有在约0.5微米至约5微米的范围内的平均厚度以及在约20微米至约200微米的范围内的平均最长尺寸。

18.根据权利要求1所述的磁性屏蔽膜，其中，所述粒子是导热的。

19.根据权利要求15所述的磁性屏蔽膜，所述磁性屏蔽膜沿所述磁性屏蔽膜的厚度方向具有至少0.15W/(m×K)或0.2W/(m×K)或0.25W/(m×K)的平均热导率。