[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审

申请号：	202080040105.3	申请日：	2020-06-25
公开（公告）号：	CN113950741A	公开（公告）日：	2022-01-18
发明（设计）人：	长友浩二	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L27/092	分类号：	H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/762;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人：	吴孟秋
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

本发明改善了晶体管性能。根据实施例的半导体装置设置有将n型晶体管形成区域(Tr1)和p型晶体管形成区域(Tr2)彼此隔离的绝缘膜(12)，其中，n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域中的每一个都设置有形成在半导体基板(11)上的第一方向上的栅电极(13)以及在栅电极的两侧沿不同于第一方向的第二方向形成的源极/漏极区域(22)。在第二方向上从绝缘膜和源极/漏极区域之间的界面到栅电极的端部的距离在n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域之间不同。

技术领域

本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

近年来，半导体集成电路的高集成度、高速度和低功耗已经取得进展，并且对单个晶体管的性能改进的需求日益增加。此外，随着晶体管生成的进展，不仅具有二维结构(平面型)的晶体管而且具有三维结构的晶体管已经投入实际使用。

引用列表

专利文献

专利文献1：JP 2010-141102 A

专利文献2：JP 2010-192588 A

发明内容

技术问题

在二维晶体管和三维晶体管中，例如，为了提高晶体管的性能，需要提高载流子迁移率并抑制晶体管特性的变化。

因此，本公开提出了一种能够改善晶体管性能的半导体装置和制造半导体装置的方法。

问题的解决方案

为了解决上述问题，根据本公开的一个方面的半导体装置包括：绝缘膜，绝缘膜将n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域彼此分开，其中，n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域中的每一个包括：栅电极，形成在半导体基板上的第一方向上；以及源极/漏极区域，源极/漏极区域在不同于第一方向的第二方向上形成在栅电极的两侧，并且在第二方向上从绝缘膜和源极/漏极区域之间的界面到栅电极的端部的距离在n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域之间不同。

附图说明

[图1]是示出根据第一实施例的半导体装置的配置示例的示图；

[图2A]是示出载流子迁移率特性的视图(部分1)；

[图2B]是示出载流子迁移率特性的视图(部分2)；

[图3A]是示出根据第一实施例的半导体装置的平面形状的示图；

[图3B]是示出根据第一实施例的半导体装置的另一平面形状的示图；

[图4A]是示出用于制造根据第一实施例的半导体装置的方法的平面图(部分1)；

[图4B]是示出根据第一实施例的半导体装置的制造方法的截面图(部分1)；

[图5A]是示出用于制造根据第一实施例的半导体装置的另一种方法的平面图(部分1)；

[图5B]是示出用于制造根据第一实施例的半导体装置的另一种方法的截面图(部分1)；

[图6A]是示出根据第一实施例的半导体装置的制造方法的平面图(部分2)；

[图6B]是示出根据第一实施例的半导体装置的制造方法的截面图(部分2)；