[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘膜，将n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域彼此分开，其中，

所述n型晶体管形成区域和所述p型晶体管形成区域中的每一个包括：

栅电极，形成在半导体基板上的第一方向上，以及

源极/漏极区域，所述源极/漏极区域在不同于所述第一方向的第二方向上形成在所述栅电极的两侧，并且

在所述第二方向上从所述绝缘膜和所述源极/漏极区域之间的界面到所述栅电极的端部的距离在所述n型晶体管形成区域和所述p型晶体管形成区域中不同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜在所述第二方向上向形成在所述栅电极下方的沟道形成区域施加压应力或拉应力。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，当所述绝缘膜向所述沟道形成区域施加所述压应力时，从所述绝缘膜和所述源极/漏极区域之间的界面到所述栅电极的端部的距离在所述p型晶体管形成区域中比在所述n型晶体管形成区域中短。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，当所述绝缘膜向所述沟道形成区域施加所述拉应力时，从所述绝缘膜和所述源极/漏极区域之间的界面到所述栅电极的端部的距离在所述n型晶体管形成区域中比在所述p型晶体管形成区域中短。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，从所述绝缘膜和所述源极/漏极区域之间的界面到所述栅电极的端部的距离在所述n型晶体管形成区域和所述p型晶体管形成区域中至少部分不同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜的一部分相对于所述源极/漏极区域突出。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜的一部分相对于所述源极/漏极区域中的任何一个突出。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域的一部分相对于所述绝缘膜突出。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，源极/漏极区域中的任何一个的一部分相对于所述绝缘膜突出。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅电极下方的所述绝缘膜相对于所述沟道形成区域在所述第一方向上突出。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述沟道形成区域相对于所述栅电极下方的所述绝缘膜在所述第一方向上突出。

12.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述p型晶体管形成区域的所述源极/漏极区域向所述沟道形成区域施加在所述第二方向上的所述压应力。

13.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述n型晶体管形成区域的所述源极/漏极区域向所述沟道形成区域施加在所述第二方向上的所述拉应力。

14.根据权利要求3所述的半导体装置，包括：在所述p型晶体管形成区域的所述栅电极的两侧上的应力施加膜，所述应力施加膜将在所述第二方向上的所述压应力施加到所述沟道形成区域。

15.根据权利要求4所述的半导体装置，包括：在所述n型晶体管形成区域的所述栅电极的两侧上的应力施加膜，所述应力施加膜将在所述第二方向上的所述拉应力施加到所述沟道形成区域。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜是元件分隔区域。

17.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

在半导体基板上形成抗蚀剂图案；

使用所述抗蚀剂图案作为掩模在所述半导体基板中形成凹槽；

在所述凹槽中形成绝缘膜；

沿第一方向在所述半导体基板上形成栅电极；并且

在所述栅电极的两侧沿不同于所述第一方向的第二方向形成源极/漏极区域，其中，

以在所述第二方向上从所述绝缘膜和所述源极/漏极区域之间的界面到所述栅电极的端部的距离在n型晶体管形成区域和p型晶体管形成区域中不同的方式形成所述抗蚀剂图案。