[发明专利]光刻装置、衬底台以及方法

说明书

一种用于支撑衬底的衬底台，包括表面以及粗突节。粗突节中的每个粗突节包括突节顶部表面以及细突节。粗突节被设置在衬底台的表面上，细突节被设置在突节顶部表面上。当衬底台支撑衬底时，细突节与衬底接触。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月24日提交的美国临时专利申请No.62/852,578的优先权，该临时专利申请在此通过引用全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及衬底台、带纹理的台表面、以及在衬底台表面上采用突节和纳米结构的方法。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该示例中，图案形成装置(可选地被称作掩模(mask)或掩模版(reticle))可以被用于生成待形成于IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分管芯、一个管芯、或多个管芯)上。图案的转印通常经由到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像进行。通常，单个衬底将包括被连续图案化的相邻的目标部分的网络。已知的光刻装置包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿平行或反平行于该扫描方向同步地扫描衬底来辐射每个目标部分。还可能通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底。

另一光刻系统是干涉光刻系统，在该系统中不存在图案形成装置，而是将光束分成两束，并且通过使用反射系统使得两束在衬底的目标部分处干涉。干涉引起将被形成在衬底的目标部分的线。

在光刻操作期间，不同的工艺步骤可能需要在衬底上顺序地形成不同的层。因此，有必要以高精度相对于形成在其上的先前图案来定位衬底。通常，对准标记被放置在要被对准的衬底上，并参考第二物体被定位。光刻装置可以使用对准装置来检测对准标记的位置，并使用对准标记对准衬底以确保来自掩模的精确曝光。两个不同层的对准标记之间的未对准被测量为套刻误差。

为了监测光刻工艺，图案化衬底的参数被测量。参数可以包括，例如，在图案化衬底中或在图案化衬底上形成的连续层之间的套刻误差，以及显影光敏抗蚀剂的临界线宽。该测量可以在产品衬底上和/或专用计量目标上执行。有多种技术用于测量在光刻工艺中形成的微观结构，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。一种快速且非侵入形式的专用检查工具是散射仪，其中辐射束被引导到基底表面上的目标上，并且散射或反射束的特性被测量。通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的特性，衬底的特性可以被确定。这可以例如通过将反射束与存储在与已知衬底特性相关联的已知测量库中的数据进行比较来完成。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并测量散射到特定窄角范围内的辐射的光谱(强度作为波长的函数)。相比之下，角分辨散射仪(angularly resolvedscatterometer)使用单色辐射束并测量散射辐射的强度作为角度的函数。

这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如显影光敏抗蚀剂的临界尺寸或在图案化衬底中或在图案化衬底上形成的两层之间的套刻误差(OV)。可以通过比较束被衬底反射散射之前和之后的照射束的特性来确定衬底的特性。

期望在衬底台的表面上规定并维持摩擦学特性(例如，摩擦、硬度、磨损)。由于光刻以及计量工艺的精确需求，衬底台具有难以满足的表面水平公差。晶片(例如，半导体衬底)，相比于其表面区域的宽度(例如＞100mm)是相对较薄的(例如＜1mm厚)，对衬底台的不平坦特别敏感。此外，接触的超光滑表面可能会变得“粘”在一起，当衬底必须从衬底台被脱离时，这可能出现问题。期望开发用于衬底台的、允许增加耐磨性以及摩擦特性的结构和方法，其有助于在命令时接合和脱离衬底。

发明内容