[发明专利]光刻装置、衬底台以及方法

权利要求书

1.一种用于支撑衬底的衬底台，所述衬底台包括：

表面；以及

粗突节，被设置在所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：

突节顶部表面；以及

细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。

2.根据权利要求1所述的衬底台，其中：

所述细突节中的每个细突节包括接触表面，所述接触表面被配置为接触所述衬底；并且所述接触表面具有小于大约1nm RMS的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述粗突节中的每个粗突节具有大约100微米-1000微米的宽度以及大约10微米到200微米的高度。

4.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的每个细突节具有大约1微米到10微米的宽度。

5.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节具有大约10nm-50nm的高度。

6.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节中的两个细突节之间的距离大约为50微米-200微米。

7.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述细突节的接触区域的总表面面积相对于所述衬底台的总表面面积小于0.1％。

8.根据权利要求1所述的衬底台，其中：

所述粗突节中的每个粗突节还包括设置在所述突节顶部表面上的所述细突节之间的中间细突节；并且

所述细突节的高度和所述中间细突节的高度不同。

9.根据权利要求1所述的衬底台，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙区域。

10.根据权利要求9所述的衬底台，其中所述粗糙区域被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。

11.根据权利要求9所述的衬底台，其中所述粗糙区域具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。

12.根据权利要求1所述的衬底台，其中：

所述突节顶部表面包括具有经化学地改性的低表面能的改性表面；并且

所述改性表面被配置为降低在所述衬底台与所述衬底之间的粘合力。

13.一种光刻装置，包括：

照射系统，被配置为产生辐射束；

支撑件，被配置为支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置为将图案赋予到所述束上；

投影系统，被配置为将经图案化的束投影到衬底上；以及

衬底台，被配置为支撑所述衬底，所述衬底台包括：

表面；以及

粗突节，被设置于所述表面上，其中所述粗突节中的每个粗突节包括：

突节顶部表面；以及

细突节，被设置在所述突节顶部表面上，并且被配置为当所述衬底台支撑所述衬底时，接触所述衬底。

14.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述细突节具有大约10nm-50nm的高度。

15.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述突节顶部表面包括被设置在所述细突节之间的粗糙表面。

16.根据权利要求13所述的光刻装置，其中所述粗糙表面被配置为当所述衬底台接合所述衬底时，接触所述衬底。

17.根据权利要求16所述的光刻装置，其中所述粗糙表面具有大约2nm-8nm RMS的表面粗糙度。