[发明专利]电子部件和其制造方法

说明书

本发明提供一种氟树脂密封构件的耐热变形性良好的电子部件的制造方法。通过具有将安装于布线基材的电子元件用氟树脂覆盖的工序以及对覆盖了电子元件的上述氟树脂照射放射线的工序的方法来制造电子部件。上述氟树脂优选为四氟乙烯－六氟丙烯－偏二氟乙烯共聚物。上述放射线优选为电子束。上述电子束的加速电压优选为50kV以上。上述电子束的照射能量优选以吸收线量计为20kGy以上。

技术领域

本发明涉及电子部件和其制造方法。

背景技术

在具备LED(Light Emitting Diode)等电子元件的电子部件中，为了防止电子元件的劣化，多将该电子元件利用环氧树脂、有机硅树脂进行密封，也有利用氟树脂进行密封的例子。

例如在非专利文献1中记载了具有CF₃末端的全氟(4－乙烯氧基－1－丁烯)(BVE)系聚合物对深紫外线的耐久性优异，因此能够用于深紫外AlGaN系LED的密封。另外，在专利文献1中公开了利用非晶氟树脂密封紫外线发光元件的紫外线发光装置。专利文献2中公开了将至少包含四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)和偏二氟乙烯(VdF)的氟聚合物(THV)用于LED元件的密封。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/178288号

专利文献2：日本特开2009－51876号公报

非专利文献

非专利文献1：Shoko Nagai et al.,“Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulatedstructures using a selected resin through a detailed feasibility study”,Japanese Journal of Applied Physics,2016年,55卷,082101

发明内容

然而，电子元件有时因其种类、使用状态而发热，作为其一个例子，已知有发出深紫外线的LED元件。另一方面，密封剂中使用的氟树脂通常为热塑性树脂，有时因从元件产生的热而变形。因此，本发明的目的在于提供氟树脂密封构件的耐热变形性良好的电子部件。

能够解决上述课题的本发明的电子部件和其制造方法包括以下构成。

[1]一种电子部件的制造方法，具有如下工序：

将安装于布线基材的电子元件用氟树脂覆盖的工序，以及

对覆盖了电子元件的上述氟树脂照射放射线的工序。

[2]根据[1]所述的制造方法，其中，上述氟树脂为四氟乙烯－六氟丙烯－偏二氟乙烯共聚物。

[3]根据[1]或[2]所述的制造方法，其中，上述放射线为电子束。

[4]根据[3]所述的制造方法，其中，上述电子束的加速电压为50kV以上。

[5]根据[3]或[4]所述的制造方法，其中，上述电子束的照射能量以吸收线量计为20kGy以上。

[6]一种电子部件，具有布线基材和作为密封部填充于该布线基材的氟树脂，

将上述电子部件以所填充的氟树脂与空气的界面朝下的状态在温度150℃保持60小时时，由下述式(1)算出的平均变形率V小于1.30。

平均变形率V＝(R_S×R_d)^1/2 (1)