[发明专利]电子部件模块及氮化硅电路基板

权利要求书

1.电子部件模块，其具备：

氮化硅电路基板；

电子部件，其搭载于所述氮化硅电路基板；和

密封树脂部，其密封所述氮化硅电路基板的全部或一部分、以及所述电子部件，

所述氮化硅电路基板具备：

氮化硅基板；

第一铜层，其设置于所述氮化硅基板的一面；和

第二铜层，其设置于所述氮化硅基板的另一面，

所述第二铜层的与设置有所述氮化硅基板的面呈相反侧的面直接或经由接合材料层与散热器接合，

在将所述散热器的线膨胀系数设为α_H(/℃)、将所述散热器的杨氏模量设为E_H(GPa)、将所述密封树脂部的线膨胀系数设为α_R(/℃)、将所述密封树脂部的杨氏模量设为E_R(GPa)时，

由以下式(1)算出的S1为-0.38(GPa)以上且-0.23(GPa)以下，

由以下式(2)算出的S2为-0.028(GPa)以上且0.019(GPa)以下，

式(1)：S1＝(α_BC-α_H)×E_H×(290-25)

其中，α_BC为所述氮化硅基板以及所述第二铜层的复合层叠体的线膨胀率的近似值，在将所述氮化硅基板的线膨胀系数设为α_B(/℃)、将所述氮化硅基板的杨氏模量设为E_B(GPa)、将所述氮化硅基板的厚度设为T_B(mm)、将所述第二铜层的线膨胀系数设为α_C(/℃)、将所述第二铜层的杨氏模量设为E_C(GPa)、将所述第二铜层的厚度设为T_C(mm)时，α_BC由以下式(3)算出，

式(3)：α_BC＝((α_B×E_B×T_B)+(α_C×E_C×T_C))/((E_B×T_B)+(E_C×T_C))]

式(2)：S2＝(α_ABC-α_R)×E_R×(290-25)

其中，α_ABC为所述第一铜层、所述氮化硅基板以及所述第二铜层的复合层叠体的线膨胀率的近似值，在将所述第一铜层的线膨胀系数设为α_A(/℃)、将所述第一铜层的杨氏模量设为E_A(GPa)、将所述第一铜层的厚度设为T_A(mm)、将所述氮化硅基板的线膨胀系数设为α_B(/℃)、将所述氮化硅基板的杨氏模量设为E_B(GPa)、将所述氮化硅基板的厚度设为T_B(mm)、将所述第二铜层的线膨胀系数设为α_C(/℃)、将所述第二铜层的杨氏模量设为E_C(GPa)、将所述第二铜层的厚度设为T_C(mm)时，α_ABC由以下式(4)算出，

式(4)：α_ABC＝((α_A×E_A×T_A)+((α_B×E_B×T_B)+(α_C×E_C×T_C))/((E_A×T_A)+(E_B×T_B)+(E_C×T_C))。

2.如权利要求1所述的电子部件模块，其中，所述第二铜层的与设置有所述氮化硅基板的面呈相反侧的面具有未被所述密封树脂部覆盖的未被覆区域。

3.如权利要求1或2所述的电子部件模块，其中，所述密封树脂部的线膨胀系数为5×10^-6/℃以上且30×10^-6/℃以下。