[发明专利]用于发射和/或接收太赫兹辐射的装置及其用途

说明书

本公开涉及一种用于发射和/或接收太赫兹(THz)辐射(TS1、TS2)的装置(100)，包括：用于生成(TS1)和/或检测(TS2)THz信号的至少一个太赫兹元件(110)，以及至少一个场整形元件(120)，该至少一个场整形元件(120)特别是被分配给至少一个太赫兹元件(110)，其中，至少一个太赫兹元件(110)布置在场整形元件(120)的第一表面(121)的区域中。

技术领域

本公开涉及一种用于发射和/或接收太赫兹THz辐射的装置。

本公开还涉及这种装置的用途。

发明内容

优选实施例涉及一种用于发射和/或接收太赫兹(THz)辐射的装置，包括配置用于生成和/或检测THz信号的至少一个太赫兹元件，以及特别是被分配给至少一个太赫兹元件的至少一个场整形元件，其中，至少一个太赫兹元件布置在场整形元件的第一表面的区域中。

在另外的优选实施例中设置为，至少一个太赫兹元件相对于场整形元件的第一表面以这样的方式布置，即，使得特别是至少区域地在至少一个太赫兹元件和场整形元件之间存在消散耦合。以这种方式，例如，由至少一个太赫兹元件生成的THz辐射可以被有效地耦合到场整形元件中，和/或待被接收的THz辐射可以被有效地从场整形元件耦合到THz元件中。特别地，根据另外的优选实施例，消散耦合可以减少或避免太赫兹辐射的全反射(这可能发生在THz元件和场整形元件之间的中间区域中)这增加组件之间的THz辐射的耦合的效率。

在另外的优选实施例中设置为，至少一个太赫兹元件相对于场整形元件的第一表面以这样的方式布置，即，使得特别是至少区域地、特别是在至少一个太赫兹元件和场整形元件之间能够发生和/或确实发生受抑全反射。

在另外的优选实施例中设置为，场整形元件包括至少一个透镜和/或形成作为透镜。

在另外的优选实施例中设置为，至少一个透镜形成作为半球形透镜或作为超半球形透镜或作为非球面透镜。

在另外的优选实施例中设置为，场整形元件具有低色散和/或低吸收，低色散优选地具有小于5％的折射率变化，低吸收优选地对于太赫兹辐射(特别是在1THz和10THz之间的范围内)小于2％。

在另外的优选实施例中设置为，场整形元件至少部分地包括以下材料中的至少一种或者由以下材料中的至少一种形成：a)硅；b)聚合物材料，特别是PE和/或HDPE和/或PP和/或PTFE和/或聚甲基戊烯PMP；c)具有至少一种添加剂材料的聚合物材料，特别是PE和/或HDPE和/或PP和/或PTFE和/或PMP，至少一种添加剂材料特别是增加折射率的添加剂材料，例如二氧化钛TiO₂和/或二氧化铝Al₂O₃。

在另外的优选实施例中设置为，场整形元件在至少一个表面的区域中、特别是在与第一表面相对的第二表面的区域中和/或在与第一表面相对的第二表面上具有带有减少反射效果的表面改性、优选地抗反射涂层，其中，减少反射效果、特别是抗反射涂层针对在1THz和10THz之间、特别是在1THz和10THz之间、进一步特别是在4.5THz和6.5THz之间的频率范围而优化。

在另外的优选实施例中设置为，特别是至少区域地将结合层、特别是粘附层布置在至少一个太赫兹元件与场整形元件的第一表面之间。

在另外的优选实施例中设置为，结合层的层厚度小于50微米(μm)、特别是小于或等于10μm、特别是小于或等于7μm、进一步特别是小于或等于4.0μm、进一步特别是小于或等于1.0μm。

在另外的优选实施例中设置为，结合层的层厚度小于结合层中的THz信号的波长的四分之一、特别是小于结合层中的THz信号的最大频率的波长的四分之一。