[发明专利]用于发射和/或接收太赫兹辐射的装置及其用途

权利要求书

1.一种用于发射和/或接收太赫兹THz辐射(TS1、TS2)的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，包括：配置用于生成和/或检测THz信号(TS1、TS2)的至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)；以及至少一个场整形元件(120；120a)，所述至少一个场整形元件(120；120a)特别是被分配给所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)，其中，所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)布置在所述场整形元件(120；120a)的第一表面(121)的区域中。

2.根据权利要求1所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)相对于所述场整形元件(120；120a)的所述第一表面(121)以这样的方式布置，即，使得特别是至少区域地在所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)和所述场整形元件(120；120a)之间存在消散耦合。

3.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)相对于所述场整形元件(120；120a)的所述第一表面(121)以这样的方式布置，即，使得特别是至少区域地、特别是在所述至少一个太赫兹元件(110；110a；110b；110a；110_1、110_2)和所述场整形元件(120；120a)之间能够发生和/或确实发生受抑全反射。

4.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述场整形元件(120；120a)包括至少一个透镜(120a)和/或形成作为透镜(120a)。

5.根据权利要求4所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述至少一个透镜(120a)形成作为半球形透镜(120a)或作为超半球形透镜(120a)或作为非球面透镜。

6.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述场整形元件(120；120a)至少部分地包括以下材料中的至少一种或者由以下材料中的至少一种形成：(a)硅；(b)聚合物材料，特别是聚乙烯PE和/或高密度PE，即，HDPE，和/或聚丙烯PP和/或聚四氟乙烯PTFE和/或聚甲基戊烯PMP；(c)具有至少一种添加剂材料的聚合物材料，特别是PE和/或HDPE和/或PP和/或PTFE和/或PMP，所述至少一种添加剂特别是增加折射率的添加剂材料，例如二氧化钛TiO₂和/或二氧化铝Al₂O₃。

7.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k)，其中，所述场整形元件(120；120a)在至少一个表面的区域中、特别是在与所述第一表面(121)相对的第二表面(122)的区域中和/或在所述第二表面(122)上具有带有减少反射效果的表面改性、优选地具有抗反射涂层(124)，其中，所述减少反射效果、特别是所述抗反射涂层(124)针对在3THz和10THz之间、特别是在4.5THz和6.5THz之间的频率范围而优化。