[发明专利]功率转换装置在审
| 申请号: | 202080028774.9 | 申请日: | 2020-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN113711479A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 栗原龙二;八幡光一 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/088;H02M7/48;H02M7/5387;H02P27/06 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹;宋俊寅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 转换 装置 | ||
1.一种功率转换装置,其特征在于,包括:
功率转换电路部,该功率转换电路部具有将直流功率转换为多相交流功率的多个半导体元件;以及
温度检测部,该温度检测部用于检测与所述多相交流功率中的任一相相对应的所述半导体元件的温度,
驱动由所述温度检测部检测温度的所述半导体元件,使其相比于未检测温度的其它所述半导体元件,因开关损耗引起的发热变大。
2.如权利要求1所述的功率转换装置,其特征在于,
将由所述温度检测部检测温度的所述半导体元件的用于决定开关特性的栅极电阻设定为相比于未检测温度的其它所述半导体元件的用于决定开关特性的栅极电阻,因开关损耗引起的发热变大的值。
3.如权利要求1所述的功率转换装置,其特征在于,
将由所述温度检测部检测温度的所述半导体元件的栅极-发射极间的电容设定为相比于未检测温度的其它所述半导体元件的栅极-发射极间的电容,开关损耗变大的值。
4.如权利要求1所述的功率转换装置,其特征在于,
将由所述温度检测部检测温度的所述半导体元件的驱动电路的驱动电压设定为比未检测温度的其它所述半导体元件的驱动电路的驱动电压要低的值。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





