[发明专利]具有顺应性端子的表面安装薄膜熔断器在审
| 申请号: | 202080028312.7 | 申请日: | 2020-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN113692633A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 丹·罗兹布罗依;叶胡达·席德曼;埃莉诺·奥尼尔 | 申请(专利权)人: | 阿维科斯公司 |
| 主分类号: | H01H85/041 | 分类号: | H01H85/041;H01H85/055;H01H85/20 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
| 地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 顺应性 端子 表面 安装 薄膜 熔断器 | ||
1.一种可表面安装薄膜熔断器组件,其包括:
基板,所述基板具有顶表面、第一端和在纵向方向上与所述第一端间隔开的第二端;
熔断器层,所述熔断器层形成在所述基板的所述顶表面之上,所述熔断器层包括薄膜熔断器轨道;以及
外部端子,所述外部端子沿所述基板的所述第一端设置并与所述熔断器层连接,所述外部端子包括顺应层,所述顺应层包括导电聚合组合物。
2.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述导电聚合组合物包括环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述导电聚合组合物包括导电颗粒。
4.根据权利要求3所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述导电颗粒包括银。
5.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中:
所述熔断器层在垂直于所述基板的所述顶表面的Z方向上具有熔断器层厚度;
所述顺应层在纵向方向上具有最大顺应层厚度;以及
所述熔断器层厚度与所述顺应层的最大厚度的比率在约0.25到约100的范围内。
6.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述薄膜熔断器轨道在Z方向上具有的厚度小于约40微米,所述Z方向垂直于所述基板的所述顶表面。
7.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述熔断器层还包括与所述薄膜熔断器轨道电连接的接触垫,所述接触垫延伸至所述基板的所述第一端或所述第二端中的一者,且在所述第一端处与所述外部端子之一电连接。
8.根据权利要求7所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述外部端子包括第一层,所述第一层形成在所述基板的所述第一端之上且与所述接触垫电接触,并且其中,所述顺应层形成在所述第一层之上。
9.根据权利要求8所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述第一层包括铜。
10.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述外部端子包括所述顺应层之上的镀层。
11.根据权利要求10所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述镀层包括锡或镍中的至少一者。
12.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述可表面安装组件包括形成在所述熔断器层之上的保护层。
13.根据权利要求12所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述保护层包括玻璃。
14.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述基板包括玻璃。
15.根据权利要求1所述的可表面安装薄膜熔断器组件,其中,所述熔断器组件被设计成如果暴露在约0.1A至约4A范围内的最大电流时而烧断。
16.一种用于形成可表面安装薄膜熔断器组件的方法,所述方法包括:
设置基板,所述基板具有第一端和在纵向方向上与所述第一端间隔开的第二端;
沉积熔断器层,所述熔断器层形成在所述基板的顶表面之上,所述熔断器层包括薄膜熔断器轨道;以及
沿所述基板的所述第一端形成外部端子,所述外部端子与所述熔断器层连接,所述外部端子包括顺应层,所述顺应层包括导电聚合组合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿维科斯公司,未经阿维科斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080028312.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





