[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号: | 202080024060.0 | 申请日: | 2020-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN113632206A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 奥谷学;吉田幸史;上田大;张松;安田周一;柴山宣之;金松泰范 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
衬底处理方法包括下述工序:处理液供给工序,向衬底的表面供给含有溶质及溶剂的处理液;处理膜形成工序,使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化,以在所述衬底的表面形成对存在于所述衬底的表面的除去对象物进行保持的处理膜;和除去工序,通过以液滴状态向所述衬底的表面供给除去液,以使所述除去液的液滴的物理力作用于所述处理膜及所述除去对象物,从而将所述处理膜及所述除去对象物从所述衬底的表面除去。
技术领域
本发明涉及对衬底进行处理的衬底处理方法及衬底处理装置。作为处理对象的衬底(substrate)例如包括半导体晶片、液晶显示装置用衬底、有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display:平板显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、光磁盘用衬底、光掩模用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等衬底。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,为了将附着于衬底的各种污染物、前工序中使用的处理液、抗蚀剂等残渣或各种颗粒等(以下存在统称为“除去对象物”的情况。)除去而实施清洗工序。
在清洗工序中,通常通过向衬底供给去离子水(DIW:Deionized Water)等清洗液,从而利用清洗液的物理作用将除去对象物除去,或者,通过向衬底供给与除去对象物进行化学反应的药液,从而将该除去对象物化学除去。
但是,在衬底上形成的凹凸图案的微细化及复杂化发展。因此,在抑制凹凸图案损伤的同时使用清洗液或药液将除去对象物除去日益变得困难。
因而,提出了向衬底的上表面供给含有挥发成分的处理液,并在通过挥发成分的挥发形成处理膜后,将该处理膜除去的方法(参见专利文献1)。
在该方法中,通过处理液固化或硬化以形成处理膜,从而除去对象物被处理膜覆盖。接下来,向衬底的上表面供给剥离处理液。剥离处理液渗透处理膜并进入衬底与处理膜之间。通过使剥离处理液进入衬底与处理膜之间,从而除去对象物与处理膜一并被从衬底的上表面剥离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2015/128994号说明书
发明内容
发明要解决的课题
例如,在衬底上的除去对象物的尺寸大且无法由处理膜以适当的保持力保持除去对象物的情况下,在使用专利文献1的方法将处理膜从衬底的上表面剥离时,存在除去对象物残留在衬底上的情况。这样,存在无法将除去对象物从衬底充分除去的可能。
因而,本发明的一个目的在于提供能够高效地将存在于衬底的表面的除去对象物除去的衬底处理方法及衬底处理装置。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式提供一种衬底处理方法,其包括下述工序:处理液供给工序,向衬底的表面供给含有溶质及溶剂的处理液;处理膜形成工序,使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化,以在所述衬底的表面形成对存在于所述衬底的表面的除去对象物进行保持的处理膜;和除去工序,通过向所述衬底的表面供给液滴状态的除去液,以使所述液滴状态的除去液的物理力作用于所述处理膜及所述除去对象物,从而将所述处理膜及所述除去对象物从所述衬底的表面除去。
根据该方法,通过使供给至衬底的表面的处理液固化或硬化,从而形成保持除去对象物的处理膜。之后以液滴状态向衬底的表面供给除去液。由此,除去液的液滴的物理力作用于处理膜及除去对象物。
详细来说,通过除去液的液滴的物理力作用于处理膜,从而保持有除去对象物的状态的处理膜分裂并从衬底的表面剥离,以被从衬底的表面除去。并且,通过除去液的液滴的物理力作用于除去对象物,从而除去对象物被从衬底的表面除去。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





