[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号: | 202080024060.0 | 申请日: | 2020-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN113632206A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 奥谷学;吉田幸史;上田大;张松;安田周一;柴山宣之;金松泰范 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
1.衬底处理方法,其包括下述工序:
处理液供给工序,向衬底的表面供给含有溶质及溶剂的处理液;
处理膜形成工序,使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化,以在所述衬底的表面形成对存在于所述衬底的表面的除去对象物进行保持的处理膜;和
除去工序,通过以液滴状态向所述衬底的表面供给除去液,以使所述除去液的液滴的物理力作用于所述处理膜及所述除去对象物,从而将所述处理膜及所述除去对象物从所述衬底的表面除去。
2.根据权利要求1所述的衬底处理方法,其中,所述除去工序包括下述工序:
处理膜除去工序,通过使所述除去液的液滴的物理力作用于所述处理膜,从而将保持有所述除去对象物的状态的所述处理膜从所述衬底的表面剥离并使其分裂以从所述衬底的表面除去;和
除去对象物除去工序,通过使所述除去液的液滴的物理力作用于所述除去对象物,从而将所述除去对象物从所述衬底的表面除去。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法,其中,所述处理膜形成工序包括形成膜厚小于被保持于所述处理膜的所述除去对象物的半径的所述处理膜的工序。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述除去液为水或碱性液体。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的衬底处理方法,其进一步包括:
保护液膜形成工序,在所述除去工序开始前,通过以连续流向所述衬底的表面供给保护液,从而在所述衬底的表面形成覆盖在所述除去工序中被以液滴状态供给所述除去液的供给区域的所述保护液的液膜。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的衬底处理方法,其进一步包括:
保护液并行供给工序,在所述除去工序中以液滴状态向所述衬底的表面供给除去液的期间,以连续流向所述衬底的表面供给保护液。
7.根据权利要求5或6所述的衬底处理方法,其中,所述保护液具有使所述处理膜部分地溶解的性质。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述保护液为水或碱性液体。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的衬底处理方法,其中,进一步包括:
残渣除去工序,向所述衬底的表面供给使所述处理膜溶解的溶解液,以将在所述除去工序后残留在所述衬底的表面的所述处理膜的残渣除去。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的衬底处理方法,其中,所述除去工序包括通过以液滴状态向所述衬底的表面供给所述除去液从而使所述处理膜部分地溶解于所述除去液的工序。
11.根据权利要求10所述的衬底处理方法,其中,所述溶质具有高溶解性物质、和相对于所述除去液的溶解性低于所述高溶解性物质的低溶解性物质,
所述处理膜形成工序包括形成具有固体状态的所述高溶解性物质及固体状态的所述低溶解性物质的所述处理膜的工序,
所述除去工序包括使所述处理膜中的固体状态的所述高溶解性物质选择性地溶解于所述除去液的工序。
12.根据权利要求10或11所述的衬底处理方法,其中,所述溶质具有溶解力强化物质,
所述除去工序包括下述工序,即,通过使所述溶解力强化物质从所述处理膜溶出到供给至所述衬底的表面的所述除去液中,从而对供给至所述衬底的表面的所述除去液使所述处理膜溶解的溶解力进行强化,使所述处理膜部分地溶解于所述溶解力被强化的所述除去液的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080024060.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:天然石材水池
- 下一篇:制造工厂中的操作指示装置以及制造工厂中的操作指示方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





